Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > TPN7R506NH,L1Q
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2042440TPN7R506NH,L1Q Image.Toshiba Semiconductor and Storage

TPN7R506NH,L1Q

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
5000+
$0.41
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    TPN7R506NH,L1Q
  • Výrobce / značka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    TPN7R506NH,L1Q.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4V @ 200µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    8-TSON Advance (3.3x3.3)
  • Série
    U-MOSVIII-H
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    7.5 mOhm @ 13A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    700mW (Ta), 42W (Tc)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    8-PowerVDFN
  • Ostatní jména
    TPN7R506NH,L1Q(M
    TPN7R506NHL1QTR
  • Provozní teplota
    150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    1800pF @ 30V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    22nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    6.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    60V
  • Detailní popis
    N-Channel 60V 26A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    26A (Tc)

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „TPN7R506NH,L1Q“.
TPN3300ANH,LQ

TPN3300ANH,LQ

Popis: MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TPN1R603PL,L1Q

TPN1R603PL,L1Q

Popis: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TPN2R304PL,L1Q

TPN2R304PL,L1Q

Popis: MOSFET N-CH 40V 80A TSON

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TPN4R303NL,L1Q

TPN4R303NL,L1Q

Popis: MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TPN30008NH,LQ

TPN30008NH,LQ

Popis: MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TPN3021RL

TPN3021RL

Popis: THYRISTOR 28V 100A 8SOIC

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
RFQ
TPN4R712MD,L1Q

TPN4R712MD,L1Q

Popis: MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TPN6R303NC,LQ

TPN6R303NC,LQ

Popis: MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TPN2010FNH,L1Q

TPN2010FNH,L1Q

Popis: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TPN22006NH,LQ

TPN22006NH,LQ

Popis: MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TPN3021

TPN3021

Popis: OVP TRIPOLAR NETWORK 28V 8-SOIC

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
RFQ
TPN4R203NC,L1Q

TPN4R203NC,L1Q

Popis: MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TPN2R203NC,L1Q

TPN2R203NC,L1Q

Popis: MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TPN2R503NC,L1Q

TPN2R503NC,L1Q

Popis: MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TPN5900CNH,L1Q

TPN5900CNH,L1Q

Popis: MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TPN6R003NL,LQ

TPN6R003NL,LQ

Popis: MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TPN3R704PL,L1Q

TPN3R704PL,L1Q

Popis: MOSFET N-CH 40V 80A TSON

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TPN2R703NL,L1Q

TPN2R703NL,L1Q

Popis: MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TPN2R805PL,L1Q

TPN2R805PL,L1Q

Popis: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TPN8R903NL,LQ

TPN8R903NL,LQ

Popis: MOSFET N-CH 30V 20A TSON

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.