Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > TPHR9003NL,L1Q
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
6395588TPHR9003NL,L1Q Image.Toshiba Semiconductor and Storage

TPHR9003NL,L1Q

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
5000+
$0.972
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    TPHR9003NL,L1Q
  • Výrobce / značka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 30V 60A 8-SOP
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    TPHR9003NL,L1Q.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    2.3V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    8-SOP Advance (5x5)
  • Série
    U-MOSVIII-H
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    0.9 mOhm @ 30A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    1.6W (Ta), 78W (Tc)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    8-PowerVDFN
  • Ostatní jména
    TPHR9003NL,L1Q(M
    TPHR9003NL,L1QTR
    TPHR9003NL,L1QTR-ND
    TPHR9003NLL1QTR
  • Provozní teplota
    150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    6900pF @ 15V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    74nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    30V
  • Detailní popis
    N-Channel 30V 60A (Tc) 1.6W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „TPHR9003NL,L1Q“.
TPHCS250-M

TPHCS250-M

Popis: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS

Výrobci: Bussmann (Eaton)
Na skladě
RFQ
TPHCS250-E

TPHCS250-E

Popis: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS

Výrobci: Bussmann (Eaton)
Na skladě
RFQ
TPHCS250-ML

TPHCS250-ML

Popis: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS

Výrobci: Bussmann (Eaton)
Na skladě
RFQ
TPH8R80ANH,L1Q

TPH8R80ANH,L1Q

Popis: MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TPHCS800-EL

TPHCS800-EL

Popis: FUSE HLDR BLADE 80V 800A CHASS

Výrobci: Bussmann (Eaton)
Na skladě
RFQ
TPHR8504PL,L1Q

TPHR8504PL,L1Q

Popis: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TPH8R008NH,L1Q

TPH8R008NH,L1Q

Popis: MOSFET N CH 80V 34A SOP

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TPHCS-B-M

TPHCS-B-M

Popis: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH

Výrobci: Bussmann (Eaton)
Na skladě
RFQ
TPHCS800-ML

TPHCS800-ML

Popis: FUSE HLDR BLADE 80V 800A CHASS

Výrobci: Bussmann (Eaton)
Na skladě
RFQ
TPHCS800-E

TPHCS800-E

Popis: FUSE HLDR BLADE 80V 800A CHASS

Výrobci: Bussmann (Eaton)
Na skladě
RFQ
TPHR9203PL,L1Q

TPHR9203PL,L1Q

Popis: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TPHCS-B-ML

TPHCS-B-ML

Popis: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH

Výrobci: Bussmann (Eaton)
Na skladě
RFQ
TPHCS250-EL

TPHCS250-EL

Popis: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS

Výrobci: Bussmann (Eaton)
Na skladě
RFQ
TPHR6503PL,L1Q

TPHR6503PL,L1Q

Popis: MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TPHCS250-P

TPHCS250-P

Popis: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS

Výrobci: Bussmann (Eaton)
Na skladě
RFQ
TPHCS-B-EL

TPHCS-B-EL

Popis: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH

Výrobci: Bussmann (Eaton)
Na skladě
RFQ
TPHCS800-M

TPHCS800-M

Popis: FUSE HLDR BLADE 80V 800A CHASS

Výrobci: Bussmann (Eaton)
Na skladě
RFQ
TPHCS800-P

TPHCS800-P

Popis: FUSE HLDR BLADE 80V 800A CHASS

Výrobci: Bussmann (Eaton)
Na skladě
RFQ
TPH8R903NL,LQ

TPH8R903NL,LQ

Popis: MOSFET N CH 30V 20A 8SOP

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TPHCS-B-E

TPHCS-B-E

Popis: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH

Výrobci: Bussmann (Eaton)
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.