Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

*Jméno společnosti
*Jméno
*Titul

*Emailová adresa
*Telefonní číslo

*Země
*Kontaktní okno
*Datum události

*Zpráva

Pro návštěvníky na Electronica 2024

Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.

domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > TPC8022-H(TE12LQ,M

RFQs/Objednávka (0)

Čeština

Čeština

2969860

TPC8022-H(TE12LQ,M

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Online poptávka

Specifikace

Part Number

TPC8022-H(TE12LQ,M
Výrobce / značka

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Množství zásob

Na skladě
Popis

MOSFET N-CH 40V 7.5A SOP8 2-6J1B
Stav volného vedení / RoHS

Bez olova / V souladu RoHS
Datasheety

1.TPC8022-H(TE12LQ,M.pdf
2.TPC8022-H(TE12LQ,M.pdf
Vgs (th) (max) 'Id

2.3V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technika

MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package

8-SOP (5.5x6.0)
Série

-
RDS On (Max) @ Id, Vgs

27 mOhm @ 3.8A, 10V
Ztráta energie (Max)

1W (Ta)
Obal

Tape & Reel (TR)
Paket / krabice

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Provozní teplota

150°C (TJ)
Typ montáže

Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)
Stav volného vedení / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 10V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET Feature

-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)

4.5V, 10V
Drain na zdroj napětí (Vdss)

40V
Detailní popis

N-Channel 40V 7.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C

7.5A (Ta)

Související zprávy
Lodní doprava
Platba

AMD zahajuje výstavbu druhé fáze Design Center Bangalore

Grafická karta NVIDIA RTX 5090 má oblast GPU 744 mm ², c...

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

Lodní doprava

Způsob platby

Následuje produkty související s „TPC8022-H(TE12LQ,M“.

TPC8035-H(TE12L,QM

TPC8035-H(TE12L,QM

Popis: MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPC8.2AHM3/87A

Popis: TVS DIODE 7.02V 12.1V TO277A

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

TPC8.2HM3/86A

Popis: TVS DIODE 6.63VWM 12.5VC SMPC

Výrobci: Vishay Semiconductor Diodes Division

Na skladě

TPC8012-H(TE12L,Q)

TPC8012-H(TE12L,Q)

Popis: MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPC8038-H(TE12L,Q)

TPC8038-H(TE12L,Q)

Popis: MOSFET N-CH 30V 12A SOP8 2-6J1B

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPC8014(TE12L,Q,M)

TPC8014(TE12L,Q,M)

Popis: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPC8033-H(TE12LQM)

TPC8033-H(TE12LQM)

Popis: MOSFET N-CH 30V 17A SOP8 2-6J1B

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPC8.2HM3/87A

Popis: TVS DIODE 6.63V 12.5V TO277A

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

TPC8.2AHM3_A/H

TPC8.2AHM3_A/H

Popis: TVS DIODE SMPC TO-277A

Výrobci: Vishay Semiconductor Diodes Division

Na skladě

TPC8036-H(TE12L,QM

TPC8036-H(TE12L,QM

Popis: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPC8021-H(TE12LQ,M

TPC8021-H(TE12LQ,M

Popis: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPC8032-H(TE12LQM)

TPC8032-H(TE12LQM)

Popis: MOSFET N-CH 30V 15A SOP8 2-6J1B

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPC8042(TE12L,Q,M)

TPC8042(TE12L,Q,M)

Popis: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPC8048-H(TE12L,Q)

TPC8048-H(TE12L,Q)

Popis: MOSFET N-CH 60V 16A 8-SOP

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPC8018-H(TE12LQM)

TPC8018-H(TE12LQM)

Popis: MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPC8051-H(TE12L,Q)

TPC8051-H(TE12L,Q)

Popis: MOSFET N-CH 80V 13A 8-SOP

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPC8031-H(TE12LQM)

TPC8031-H(TE12LQM)

Popis: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPC8.2AHM3/86A

Popis: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC SMPC

Výrobci: Vishay Semiconductor Diodes Division

Na skladě

TPC8.2AHM3_A/I

Popis: TVS DIODE 7.02V 12.1V TO277A

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

TPC8026(TE12L,Q,M)

TPC8026(TE12L,Q,M)

Popis: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.

Následuj nás

Všeobecné obchodní podmínky Politika porušení Požádat o nabídku O nás Kontaktujte nás Mapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.