Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > TK12E80W,S1X
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
3063680

TK12E80W,S1X

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$3.80
50+
$3.053
100+
$2.782
500+
$2.253
1000+
$1.90
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    TK12E80W,S1X
  • Výrobce / značka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    TK12E80W,S1X.pdf
  • ECAD model
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4V @ 570µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-220
  • Série
    DTMOSIV
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    450 mOhm @ 5.8A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    165W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-220-3
  • Ostatní jména
    TK12E80W,S1X(S
    TK12E80WS1X
  • Provozní teplota
    150°C
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    1400pF @ 300V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    23nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    800V
  • Detailní popis
    N-Channel 800V 11.5A (Ta) 165W (Tc) Through Hole TO-220
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    11.5A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „TK12E80W,S1X“.
TK13A60D(STA4,Q,M)

TK13A60D(STA4,Q,M)

Popis: MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK12A60U(Q,M)

TK12A60U(Q,M)

Popis: MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK1305800000G

TK1305800000G

Popis: 500 TB WIR PRO 180D SOL

Výrobci: Anytek (Amphenol Anytek)
Na skladě
RFQ
TK12A80W,S4X

TK12A80W,S4X

Popis: MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220SIS

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK12A60W,S4VX

TK12A60W,S4VX

Popis: MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220SIS

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK12E60W,S1VX

TK12E60W,S1VX

Popis: MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK13A50D(STA4,Q,M)

TK13A50D(STA4,Q,M)

Popis: MOSFET N-CH 500V 13A TO-220SIS

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK13A45D(STA4,Q,M)

TK13A45D(STA4,Q,M)

Popis: MOSFET N-CH 450V 13A TO-220SIS

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK12A55D(STA4,Q,M)

TK12A55D(STA4,Q,M)

Popis: MOSFET N-CH 550V 12A TO-220SIS

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK12V60W,LVQ

TK12V60W,LVQ

Popis: MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK12A60D(STA4,Q,M)

TK12A60D(STA4,Q,M)

Popis: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK13A50DA(STA4,Q,M

TK13A50DA(STA4,Q,M

Popis: MOSFET N-CH 500V 12.5A TO-220SIS

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK12P60W,RVQ

TK12P60W,RVQ

Popis: MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK12A50D(STA4,Q,M)

TK12A50D(STA4,Q,M)

Popis: MOSFET N-CH 500V 12A TO-220SIS

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK12A50E,S4X

TK12A50E,S4X

Popis: MOSFET N-CH 500V TO220SIS

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK12J60U(F)

TK12J60U(F)

Popis: MOSFET N-CH 600V 12A TO-3PN

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK12A53D(STA4,Q,M)

TK12A53D(STA4,Q,M)

Popis: MOSFET N-CH 525V 12A TO-220SIS

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK12A45D(STA4,Q,M)

TK12A45D(STA4,Q,M)

Popis: MOSFET N-CH 450V 12A TO-220SIS

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK12Q60W,S1VQ

TK12Q60W,S1VQ

Popis: MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK13A55DA(STA4,QM)

TK13A55DA(STA4,QM)

Popis: MOSFET N-CH 550V 12.5A TO-220SIS

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násZprávyMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.