Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > TK10A60E,S4X
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2202282TK10A60E,S4X Image.Toshiba Semiconductor and Storage

TK10A60E,S4X

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$1.88
50+
$1.507
100+
$1.319
500+
$1.023
1000+
$0.807
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    TK10A60E,S4X
  • Výrobce / značka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 600V TO220SIS
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    TK10A60E,S4X.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-220SIS
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    750 mOhm @ 5A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    45W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-220-3 Full Pack
  • Ostatní jména
    TK10A60E,S4X(S
    TK10A60E,S5X
    TK10A60E,S5X(M
    TK10A60ES4X
    TK10A60ES4X(S
    TK10A60ES4X(S-ND
    TK10A60ES5X
    TK10A60ES5X-ND
  • Provozní teplota
    150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    1300pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    40nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    600V
  • Detailní popis
    N-Channel 600V 10A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    10A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27

AMD zahajuje výstavbu druhé fáze Design Center Bangalore

2024/11/26
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „TK10A60E,S4X“.
TK10A80E,S4X

TK10A80E,S4X

Popis: MOSFET N-CH 800V TO220SIS

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK10A60W,S4X

TK10A60W,S4X

Popis: MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK10Q60W,S1VQ

TK10Q60W,S1VQ

Popis: MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK10P60W,RVQ

TK10P60W,RVQ

Popis: MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK10S04K3L(T6L1,NQ

TK10S04K3L(T6L1,NQ

Popis: MOSFET N-CH 40V 10A DPAK-3

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK100E06N1,S1X

TK100E06N1,S1X

Popis: MOSFET N CH 60V 100A TO-220

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK100E08N1,S1X

TK100E08N1,S1X

Popis: MOSFET N-CH 80V 100A TO220

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK100A10N1,S4X

TK100A10N1,S4X

Popis: MOSFET N-CH 100V 100A TO-220

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK10E60W,S1VX

TK10E60W,S1VX

Popis: MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK100L60W,VQ

TK100L60W,VQ

Popis: MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK100E10N1,S1X

TK100E10N1,S1X

Popis: MOSFET N-CH 100V 100A TO220

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK10A50D(STA4,Q,M)

TK10A50D(STA4,Q,M)

Popis: MOSFET N-CH 500V 10A TO-220SIS

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK10A60W,S4VX

TK10A60W,S4VX

Popis: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK10A60W5,S5VX

TK10A60W5,S5VX

Popis: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK10A80W,S4X

TK10A80W,S4X

Popis: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SIS

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK100S04N1L,LQ

TK100S04N1L,LQ

Popis: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK10A60D(STA4,Q,M)

TK10A60D(STA4,Q,M)

Popis: MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK10J80E,S1E

TK10J80E,S1E

Popis: MOSFET N-CH 800V TO-3PN

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK10A55D(STA4,Q,M)

TK10A55D(STA4,Q,M)

Popis: MOSFET N-CH 550V 10A TO-220SIS

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK100A08N1,S4X

TK100A08N1,S4X

Popis: MOSFET N-CH 80V 214A TO220SIS

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.