Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > TJ80S04M3L(T6L1,NQ
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
3641650

TJ80S04M3L(T6L1,NQ

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
2000+
$1.009
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    TJ80S04M3L(T6L1,NQ
  • Výrobce / značka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET P-CH 40V 80A DPAK-3
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    1.TJ80S04M3L(T6L1,NQ.pdf
    2.TJ80S04M3L(T6L1,NQ.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    3V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    +10V, -20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    DPAK+
  • Série
    U-MOSVI
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    5.2 mOhm @ 40A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    100W (Tc)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Ostatní jména
    TJ80S04M3L(T6L1NQ
    TJ80S04M3LT6L1NQ
  • Provozní teplota
    175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    7770pF @ 10V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    158nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    6V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    40V
  • Detailní popis
    P-Channel 40V 80A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount DPAK+
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    80A (Ta)

AMD zahajuje výstavbu druhé fáze Design Center Bangalore

2024/11/26

Grafická karta NVIDIA RTX 5090 má oblast GPU 744 mm ², c...

2024/11/25

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „TJ80S04M3L(T6L1,NQ“.
BSH111,235

BSH111,235

Popis: MOSFET N-CH 55V 0.335A SOT23

Výrobci: Nexperia
Na skladě
RFQ
SQD50N04-09H-GE3

SQD50N04-09H-GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 50A TO252

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
BSC010N04LSATMA1

BSC010N04LSATMA1

Popis: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
NTMFS4925NT3G

NTMFS4925NT3G

Popis: MOSFET N-CH 30V 48A SO-8FL

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
AO4456

AO4456

Popis: MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC

Výrobci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na skladě
RFQ
IRL2203STRR

IRL2203STRR

Popis: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
IXFT320N10T2

IXFT320N10T2

Popis: MOSFET N-CH 100V 320A TO-26

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IPB09N03LAT

IPB09N03LAT

Popis: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

Popis: MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
IRFB4410ZGPBF

IRFB4410ZGPBF

Popis: MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
NP40N10VDF-E2-AY

NP40N10VDF-E2-AY

Popis: TRANSISTOR

Výrobci: Renesas Electronics America
Na skladě
RFQ
IPB019N08N3GATMA1

IPB019N08N3GATMA1

Popis: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IRFP3703PBF

IRFP3703PBF

Popis: MOSFET N-CH 30V 210A TO-247AC

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BXL4004-1E

BXL4004-1E

Popis: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
2SK4116LS

2SK4116LS

Popis: MOSFET N-CH 400V 12A TO-220FI

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
SI7430DP-T1-E3

SI7430DP-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI3483DV-T1-E3

SI3483DV-T1-E3

Popis: MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
NTD20N03L27-001

NTD20N03L27-001

Popis: MOSFET N-CH 30V 20A IPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
SPB80P06P

SPB80P06P

Popis: MOSFET P-CH 60V 80A D2PAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD30N03S2L10ATMA1

IPD30N03S2L10ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.