Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - bipolární (BJT) - jednotné, předběžn > RN2317(TE85L,F)
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
6807008RN2317(TE85L,F) Image.Toshiba Semiconductor and Storage

RN2317(TE85L,F)

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
3000+
$0.048
6000+
$0.042
15000+
$0.036
30000+
$0.034
75000+
$0.032
150000+
$0.028
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    RN2317(TE85L,F)
  • Výrobce / značka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    RN2317(TE85L,F).pdf
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    50V
  • VCE Saturation (Max) @ IB, IC
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor Type
    PNP - Pre-Biased
  • Dodavatel zařízení Package
    USM
  • Série
    -
  • Resistor - emitorová základna (R2)
    4.7 kOhms
  • Rezistor - základna (R1)
    10 kOhms
  • Power - Max
    100mW
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    SC-70, SOT-323
  • Ostatní jména
    RN2317(TE85LF)
    RN2317(TE85LF)-ND
    RN2317(TE85LF)TR
    RN2317TE85LF
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    16 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frekvence - Přechod
    200MHz
  • Detailní popis
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    30 @ 10mA, 5V
  • Aktuální - sběratel Cutoff (Max)
    500nA
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    100mA
  • Číslo základní části
    RN231*

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „RN2317(TE85L,F)“.
RN2312(TE85L,F)

RN2312(TE85L,F)

Popis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN2316(TE85L,F)

RN2316(TE85L,F)

Popis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN232-0.6-02

RN232-0.6-02

Popis: COMMON MODE CHOKE 47MH 600MA

Výrobci: Schaffner EMC, Inc.
Na skladě
RFQ
RN2310,LF

RN2310,LF

Popis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN2313(TE85L,F)

RN2313(TE85L,F)

Popis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN232-2.5-02-5M6

RN232-2.5-02-5M6

Popis: CMC 5.6MH 2.5A 2LN TH

Výrobci: Schaffner EMC, Inc.
Na skladě
RFQ
RN232-0.6-02-47M

RN232-0.6-02-47M

Popis: CMC 47MH 600MA 2LN TH

Výrobci: Schaffner EMC, Inc.
Na skladě
RFQ
RN2310(TE85L,F)

RN2310(TE85L,F)

Popis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN2308(TE85L,F)

RN2308(TE85L,F)

Popis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN2318(TE85L,F)

RN2318(TE85L,F)

Popis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN232-1.6-02-10M

RN232-1.6-02-10M

Popis: CMC 10MH 1.6A 2LN TH

Výrobci: Schaffner EMC, Inc.
Na skladě
RFQ
RN232-4-02

RN232-4-02

Popis: COMMON MODE CHOKE 3.3MH 4A

Výrobci: Schaffner EMC, Inc.
Na skladě
RFQ
RN232-2.5-02

RN232-2.5-02

Popis: COMMON MODE CHOKE 5.6MH 2.5A

Výrobci: Schaffner EMC, Inc.
Na skladě
RFQ
RN2314(TE85L,F)

RN2314(TE85L,F)

Popis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN232-1.6-02

RN232-1.6-02

Popis: COMMON MODE CHOKE 10MH 1.6A

Výrobci: Schaffner EMC, Inc.
Na skladě
RFQ
RN2315TE85LF

RN2315TE85LF

Popis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SC-70

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN232-1-02

RN232-1-02

Popis: COMMON MODE CHOKE 18MH 1A

Výrobci: Schaffner EMC, Inc.
Na skladě
RFQ
RN2311(TE85L,F)

RN2311(TE85L,F)

Popis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN232-1-02-18M

RN232-1-02-18M

Popis: CMC 18MH 1A 2LN TH

Výrobci: Schaffner EMC, Inc.
Na skladě
RFQ
RN2309(TE85L,F)

RN2309(TE85L,F)

Popis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.