Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - bipolární (BJT) - matice, předběžné > RN1969FE(TE85L,F)
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4662424RN1969FE(TE85L,F) Image.Toshiba Semiconductor and Storage

RN1969FE(TE85L,F)

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    RN1969FE(TE85L,F)
  • Výrobce / značka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    RN1969FE(TE85L,F).pdf
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    50V
  • VCE Saturation (Max) @ IB, IC
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor Type
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Dodavatel zařízení Package
    ES6
  • Série
    -
  • Resistor - emitorová základna (R2)
    22 kOhms
  • Rezistor - základna (R1)
    47 kOhms
  • Power - Max
    100mW
  • Obal
    Original-Reel®
  • Paket / krabice
    SOT-563, SOT-666
  • Ostatní jména
    RN1969FE(TE85LF)DKR
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frekvence - Přechod
    250MHz
  • Detailní popis
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    70 @ 10mA, 5V
  • Aktuální - sběratel Cutoff (Max)
    100nA (ICBO)
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    100mA

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27

AMD zahajuje výstavbu druhé fáze Design Center Bangalore

2024/11/26

Grafická karta NVIDIA RTX 5090 má oblast GPU 744 mm ², c...

2024/11/25

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „RN1969FE(TE85L,F)“.
RN1970FE(TE85L,F)

RN1970FE(TE85L,F)

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1965FE(TE85L,F)

RN1965FE(TE85L,F)

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1966FE(TE85L,F)

RN1966FE(TE85L,F)

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1971FE(TE85L,F)

RN1971FE(TE85L,F)

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1968FE(TE85L,F)

RN1968FE(TE85L,F)

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1964FE(TE85L,F)

RN1964FE(TE85L,F)

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1971TE85LF

RN1971TE85LF

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1961FE(TE85L,F)

RN1961FE(TE85L,F)

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1970(TE85L,F)

RN1970(TE85L,F)

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1962TE85LF

RN1962TE85LF

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1967FE(TE85L,F)

RN1967FE(TE85L,F)

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1961(TE85L,F)

RN1961(TE85L,F)

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1963(TE85L,F)

RN1963(TE85L,F)

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1911FETE85LF

RN1911FETE85LF

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1965(TE85L,F)

RN1965(TE85L,F)

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1973(TE85L,F)

RN1973(TE85L,F)

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1963FE(TE85L,F)

RN1963FE(TE85L,F)

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1964TE85LF

RN1964TE85LF

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1968(TE85L,F)

RN1968(TE85L,F)

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1962FE(TE85L,F)

RN1962FE(TE85L,F)

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.