Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - bipolární (BJT) - jednotné, předběžn > RN1116(TE85L,F)
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
3845849RN1116(TE85L,F) Image.Toshiba Semiconductor and Storage

RN1116(TE85L,F)

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    RN1116(TE85L,F)
  • Výrobce / značka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    RN1116(TE85L,F).pdf
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    50V
  • VCE Saturation (Max) @ IB, IC
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor Type
    NPN - Pre-Biased
  • Dodavatel zařízení Package
    SSM
  • Série
    -
  • Resistor - emitorová základna (R2)
    10 kOhms
  • Rezistor - základna (R1)
    4.7 kOhms
  • Power - Max
    100mW
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    SC-75, SOT-416
  • Ostatní jména
    RN1116(TE85LF)TR
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frekvence - Přechod
    250MHz
  • Detailní popis
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    50 @ 10mA, 5V
  • Aktuální - sběratel Cutoff (Max)
    500nA
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    100mA

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „RN1116(TE85L,F)“.
RN1119MFV,L3F

RN1119MFV,L3F

Popis: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN112-0.4-02

RN112-0.4-02

Popis: CMC 39MH 400MA 2LN TH

Výrobci: Schaffner EMC, Inc.
Na skladě
RFQ
RN1113CT(TPL3)

RN1113CT(TPL3)

Popis: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN111PC

RN111PC

Popis: CONN JACK MONO 6.35MM R/A

Výrobci: Conxall / Switchcraft
Na skladě
RFQ
RN1117(T5L,F,T)

RN1117(T5L,F,T)

Popis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN112-0.4-02-27M

RN112-0.4-02-27M

Popis: CMC 27MH 400MA 2LN TH

Výrobci: Schaffner EMC, Inc.
Na skladě
RFQ
RN1112ACT(TPL3)

RN1112ACT(TPL3)

Popis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1114(T5L,F,T)

RN1114(T5L,F,T)

Popis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1113(T5L,F,T)

RN1113(T5L,F,T)

Popis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1118MFV,L3F

RN1118MFV,L3F

Popis: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1117MFV,L3F

RN1117MFV,L3F

Popis: TRANS NPN PREBIAS 50V 100MA VESM

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1113MFV,L3F

RN1113MFV,L3F

Popis: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1114MFV,L3F

RN1114MFV,L3F

Popis: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN112-0.4-02-39M

RN112-0.4-02-39M

Popis: CMC 39MH 400MA 2LN TH

Výrobci: Schaffner EMC, Inc.
Na skladě
RFQ
RN1115MFV,L3F

RN1115MFV,L3F

Popis: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1115,LF(CT

RN1115,LF(CT

Popis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1113ACT(TPL3)

RN1113ACT(TPL3)

Popis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1118(T5L,F,T)

RN1118(T5L,F,T)

Popis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1112CT(TPL3)

RN1112CT(TPL3)

Popis: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1116MFV,L3F

RN1116MFV,L3F

Popis: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.