Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - bipolární (BJT) - RF > MT3S111(TE85L,F)
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
6369718

MT3S111(TE85L,F)

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$0.65
10+
$0.576
25+
$0.52
100+
$0.455
250+
$0.40
500+
$0.353
1000+
$0.279
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    MT3S111(TE85L,F)
  • Výrobce / značka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    MT3S111(TE85L,F).pdf
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    6V
  • Transistor Type
    NPN
  • Dodavatel zařízení Package
    S-Mini
  • Série
    -
  • Power - Max
    700mW
  • Obal
    Original-Reel®
  • Paket / krabice
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Ostatní jména
    MT3S111(TE85LF)DKR
  • Provozní teplota
    150°C (TJ)
  • Hluk Obrázek (dB Typ @ f)
    1.2dB @ 1GHz
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    12 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Získat
    12dB
  • Frekvence - Přechod
    11.5GHz
  • Detailní popis
    RF Transistor NPN 6V 100mA 11.5GHz 700mW Surface Mount S-Mini
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    200 @ 30mA, 5V
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    100mA

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „MT3S111(TE85L,F)“.
MT3S16U(TE85L,F)

MT3S16U(TE85L,F)

Popis: TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
MT3B3024

MT3B3024

Popis: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V

Výrobci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na skladě
RFQ
MT3B30C4

MT3B30C4

Popis: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V

Výrobci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na skladě
RFQ
MT38W2011A90YZQXZI.X68

MT38W2011A90YZQXZI.X68

Popis: PARALLEL/PSRAM 80M

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
RFQ
MT38W1011A90YZQXZI.XB8

MT38W1011A90YZQXZI.XB8

Popis: PARALLEL/PSRAM 48M

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
RFQ
MT3S20P(TE12L,F)

MT3S20P(TE12L,F)

Popis: TRANS RF NPN 12V 1GHZ PW-MINI

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
MT3S113P(TE12L,F)

MT3S113P(TE12L,F)

Popis: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
MT3S113TU,LF

MT3S113TU,LF

Popis: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
MT38M5071A3063RZZI.YE8

MT38M5071A3063RZZI.YE8

Popis: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
RFQ
MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR

MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR

Popis: PARALLEL/MOBILE DDR 576M

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
RFQ
MT3S111P(TE12L,F)

MT3S111P(TE12L,F)

Popis: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
MT3B6115

MT3B6115

Popis: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 115V

Výrobci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na skladě
RFQ
MT38W201DAA033JZZI.X68

MT38W201DAA033JZZI.X68

Popis: MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
RFQ
MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

Popis: IC FLASH RAM 512M PARAL 56VFBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
RFQ
MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR

MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR

Popis: MCP X16 PLASTIC VFBGA 1.8V WIREL

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
RFQ
MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR

MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR

Popis: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
RFQ
MT3S20TU(TE85L)

MT3S20TU(TE85L)

Popis: TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
MT3S113(TE85L,F)

MT3S113(TE85L,F)

Popis: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
MT38W201DAA033JZZI.X68 TR

MT38W201DAA033JZZI.X68 TR

Popis: MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND TEMP

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
RFQ
MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR

MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR

Popis: MCP 5MX16 PLASTIC VFBGA 1.8V

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.