Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Diody - Usměrňovače - Jednoduché > RS1BL R3G
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
117523RS1BL R3G Image.TSC (Taiwan Semiconductor)

RS1BL R3G

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
9000+
$0.061
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    RS1BL R3G
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
  • Napětí - Forward (VF) (Max) @-li
    1.3V @ 800mA
  • Napětí - DC Reverse (Vr) (Max)
    100V
  • Dodavatel zařízení Package
    Sub SMA
  • Rychlost
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Série
    -
  • Reverse Time Recovery (TRR)
    150ns
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    DO-219AB
  • Ostatní jména
    RS1BL R3G-ND
    RS1BLR3G
  • Provozní teplota - spojení
    -55°C ~ 150°C
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    25 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode Type
    Standard
  • Detailní popis
    Diode Standard 100V 800mA Surface Mount Sub SMA
  • Proud - zpìtný únikový @ Vr
    5µA @ 100V
  • Proud - Průměrná Rektifikova (Io)
    800mA
  • Kapacitní @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
RS1BHR3G

RS1BHR3G

Popis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RS1BL MHG

RS1BL MHG

Popis: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RS1BL MQG

RS1BL MQG

Popis: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RS1BL RHG

RS1BL RHG

Popis: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RS1BL RQG

RS1BL RQG

Popis: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RS1BHE3/61T

RS1BHE3/61T

Popis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RS1BHE3_A/I

RS1BHE3_A/I

Popis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RS1BHE3_A/H

RS1BHE3_A/H

Popis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RS1BL RFG

RS1BL RFG

Popis: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RS1BL RTG

RS1BL RTG

Popis: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RS1BLHMTG

RS1BLHMTG

Popis: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RS1BLHMQG

RS1BLHMQG

Popis: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RS1BHM2G

RS1BHM2G

Popis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RS1BLHMHG

RS1BLHMHG

Popis: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RS1BL RVG

RS1BL RVG

Popis: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RS1BL MTG

RS1BL MTG

Popis: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RS1BHE3/5AT

RS1BHE3/5AT

Popis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RS1BLHM2G

RS1BLHM2G

Popis: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RS1BL RUG

RS1BL RUG

Popis: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RS1BL M2G

RS1BL M2G

Popis: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení