Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > STL33N60M2
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
3862728STL33N60M2 Image.STMicroelectronics

STL33N60M2

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
3000+
$2.827
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    STL33N60M2
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 600V 21.5A PWRFLAT88
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    PowerFlat™ (8x8) HV
  • Série
    MDmesh™ II Plus
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    135 mOhm @ 10.75A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    190W (Tc)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    8-PowerVDFN
  • Ostatní jména
    497-14969-2
  • Provozní teplota
    150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Výrobní standardní doba výroby
    42 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    1700pF @ 100V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    47nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    600V
  • Detailní popis
    N-Channel 600V 22A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    22A (Tc)
STL35N15F3

STL35N15F3

Popis: MOSFET N-CH 150V 33A POWERFLAT56

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
STL28N60M2

STL28N60M2

Popis: MOSFET N-CH 60V PWRFLAT 8X8

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
STL2N80K5

STL2N80K5

Popis: MOSFET N-CH 800V 2A PWRFLAT56

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
STL30P3LLH6

STL30P3LLH6

Popis: MOSFET P-CH 30V 30A POWERFLAT

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
STL26NM60N

STL26NM60N

Popis: MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
STL30N10F7

STL30N10F7

Popis: MOSFET N-CH 100V 8A POWERFLAT

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
STL35N75LF3

STL35N75LF3

Popis: MOSFET

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
STL285N4F7AG

STL285N4F7AG

Popis: MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
STL28N60DM2

STL28N60DM2

Popis: MOSFET N-CH 60V 21A PWRFLAT 8X8

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
STL34N65M5

STL34N65M5

Popis: MOSFET N-CH 650V 3.2A PWRFLAT88

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
STL36DN6F7

STL36DN6F7

Popis: MOSFET 2 N-CH 60V 33A POWERFLAT

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
STL36N55M5

STL36N55M5

Popis: MOSFET N-CH 550V 22.5A 4PWRFLAT

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
STL33N60DM2

STL33N60DM2

Popis: N-CHANNEL 600 V, 0.115 OHM TYP.,

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
STL35N6F3

STL35N6F3

Popis: MOSFET N-CH 60V 44A POWERFLAT

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
STL287N4F7AG

STL287N4F7AG

Popis: MOSFET N-CH 40V PWRFLAT 8X8

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
STL3N10F7

STL3N10F7

Popis: MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT22

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
STL3N65M2

STL3N65M2

Popis: MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
STL33N65M2

STL33N65M2

Popis: N-CHANNEL 650 V, 0.124 OHM TYP.,

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
STL38N65M5

STL38N65M5

Popis: MOSFET N-CH 650V 22.5A PWRFLAT8X

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
STL31N65M5

STL31N65M5

Popis: MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT88

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení