M24C08-RMC6TG

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě

$0.27

10+

$0.261

100+

$0.214

500+

$0.208

1000+

$0.203

Online poptávka

Specifikace

Part Number

M24C08-RMC6TG
Výrobce / značka

STMicroelectronics
Množství zásob

Na skladě
Popis

IC EEPROM 8KB I2C 400KHZ 8MLP
Stav volného vedení / RoHS

Bez olova / V souladu RoHS
Datasheety

M24C08-RMC6TG.pdf
ECAD model
Série

*
Obal

Cut Tape (CT)
Ostatní jména

497-17839-1
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby

26 Weeks
Stav volného vedení / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Detailní popis

Memory IC

Související zprávy
Lodní doprava
Platba

Nastavili jsme dlouhodobá partnerství s hlavními poskytovateli globální logistiky a nabízejí flexibilní a efektivní přepravní řešení přizpůsobená vašim jedinečným potřebám.V závislosti na velikosti, hmotnosti a cíli vaší objednávky vybereme nejvhodnějšího přepravního dopravce.Poskytujeme také služby pro sledování logistiky v reálném čase, což zákazníkům umožňuje kdykoli porozumět umístění a stavu jejich zboží. Pokud máte konkrétní mezinárodní přepravní trasy nebo určeného zasílatele, kontaktujte prosím náš prodejní tým-rádi se přizpůsobí vašim požadavkům.

Podporujeme více metod plateb, včetně kreditních karet, drátových převodů a dalších možností a přijímáme většinu měn.U objednávek zadaných v USD jsou k dispozici další možnosti plateb.Pro více informací o metodách a postupech plateb kontaktujte náš prodejní tým.

Následuje produkty související s „M24C08-RMC6TG“.

M24C08-RDS6TG

Popis: IC EEPROM 8K I2C 400KHZ 8MSOP

Výrobci: STMicroelectronics

Na skladě

M24C08-RMC6TG

Žádost o nabídku

Referenční cena (v amerických dolarech)

STMicroelectronics Unveils Cutting-Edge Multi-Mode MEMS Sensor

STMicroelectronics Enters the Silicon Photonics Market with...

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Zvolte jazyk

Aktuální jazyk