LCP12-150B1RL

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Online poptávka

Specifikace

Part Number

LCP12-150B1RL
Výrobce / značka

STMicroelectronics
Množství zásob

Na skladě
Popis

THYRISTOR 45A 8SOIC
Stav volného vedení / RoHS

Bez olova / V souladu RoHS
Datasheety

LCP12-150B1RL.pdf
ECAD model
Napětí - Off State

-
Napětí - Spínací

-
Série

LCP
Obal

Cut Tape (CT)
Paket / krabice

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Ostatní jména

497-10643-1
Počet elementů

1
Typ montáže

Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)
Stav volného vedení / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Proud - špičkový impuls (10 / 1000μs)

45A
Proud - přidržení (H)

150mA
kapacitní

60pF

Související zprávy
Lodní doprava
Platba

Nastavili jsme dlouhodobá partnerství s hlavními poskytovateli globální logistiky a nabízejí flexibilní a efektivní přepravní řešení přizpůsobená vašim jedinečným potřebám.V závislosti na velikosti, hmotnosti a cíli vaší objednávky vybereme nejvhodnějšího přepravního dopravce.Poskytujeme také služby pro sledování logistiky v reálném čase, což zákazníkům umožňuje kdykoli porozumět umístění a stavu jejich zboží. Pokud máte konkrétní mezinárodní přepravní trasy nebo určeného zasílatele, kontaktujte prosím náš prodejní tým-rádi se přizpůsobí vašim požadavkům.

Podporujeme více metod plateb, včetně kreditních karet, drátových převodů a dalších možností a přijímáme většinu měn.U objednávek zadaných v USD jsou k dispozici další možnosti plateb.Pro více informací o metodách a postupech plateb kontaktujte náš prodejní tým.

Následuje produkty související s „LCP12-150B1RL“.

LCP5-3.00-22

Popis: INDUCT ARRAY 2 COIL 22UH SMD

Výrobci: AlfaMag Electronics (AMGIS)

Na skladě

LCP12-150B1RL

Žádost o nabídku

STMicroelectronics Unveils Cutting-Edge Multi-Mode MEMS Sensor

STMicroelectronics Enters the Silicon Photonics Market with...

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Zvolte jazyk

Aktuální jazyk