Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Diody - Usměrňovače - Jednoduché > R6012030XXYA
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2400484

R6012030XXYA

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
30+
$77.402
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    R6012030XXYA
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
  • Napětí - Forward (VF) (Max) @-li
    1.4V @ 800A
  • Napětí - DC Reverse (Vr) (Max)
    2000V
  • Dodavatel zařízení Package
    DO-205AB, DO-9
  • Rychlost
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Série
    -
  • Reverse Time Recovery (TRR)
    13µs
  • Obal
    Bulk
  • Paket / krabice
    DO-205AB, DO-9, Stud
  • Provozní teplota - spojení
    -65°C ~ 150°C
  • Typ montáže
    Chassis, Stud Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    12 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode Type
    Standard
  • Detailní popis
    Diode Standard 2000V 300A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
  • Proud - zpìtný únikový @ Vr
    50mA @ 2000V
  • Proud - Průměrná Rektifikova (Io)
    300A
  • Kapacitní @ Vr, F
    -
R6012FNX

R6012FNX

Popis: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
R6011ENX

R6011ENX

Popis: MOSFET N-CH 600V 11A TO220

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
R6011630XXYA

R6011630XXYA

Popis: DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
R6012FNJTL

R6012FNJTL

Popis: MOSFET N-CH 600V 12A LPT

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
R6012025XXYA

R6012025XXYA

Popis: DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
R6012ANX

R6012ANX

Popis: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
R6011625XXYA

R6011625XXYA

Popis: DIODE GEN PURP 1.6KV 250A DO205

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
R6012425XXYA

R6012425XXYA

Popis: DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
R6015ANX

R6015ANX

Popis: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
R6011825XXYA

R6011825XXYA

Popis: DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
R6011KNX

R6011KNX

Popis: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
R6012225XXYA

R6012225XXYA

Popis: DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
R6012625XXYA

R6012625XXYA

Popis: DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
R6015ANJTL

R6015ANJTL

Popis: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
R6011430XXYA

R6011430XXYA

Popis: DIODE GEN PURP 1.4KV 300A DO205

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
R6012ANJTL

R6012ANJTL

Popis: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
R6011KNJTL

R6011KNJTL

Popis: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO263

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
R6011ENJTL

R6011ENJTL

Popis: MOSFET N-CH 600V 11A LPT

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
R6013-00

R6013-00

Popis: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 1/2"

Výrobci: Harwin
Na skladě
R6011830XXYA

R6011830XXYA

Popis: DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení