Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Rezistory > Chip rezistor - povrchová montáž > RW1S0BA1R00JET
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4479227RW1S0BA1R00JET Image.Ohmite

RW1S0BA1R00JET

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
2000+
$1.706
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    RW1S0BA1R00JET
  • Výrobce / značka
    Ohmite
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    RW1S0BA1R00JET.pdf
  • Tolerance
    ±5%
  • teplotní koeficient
    ±50ppm/°C
  • Dodavatel zařízení Package
    SMD J-Lead, Pedestal
  • Velikost / Rozměry
    0.246" L x 0.136" W (6.25mm x 3.45mm)
  • Série
    RW
  • Režim panel
    1 Ohms
  • Příkon (W)
    1W
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    2512 J-Lead
  • Ostatní jména
    RW1S0BA1R00JETR
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C
  • Počet účastnických ukončení
    2
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    20 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Výška - Sedící (Max)
    0.141" (3.58mm)
  • Funkce
    Current Sense
  • Poruchovost
    -
  • Detailní popis
    1 Ohms ±5% 1W Chip Resistor 2512 J-Lead Current Sense Wirewound
  • Složení
    Wirewound

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „RW1S0BA1R00JET“.
RW1S0BAR010FT

RW1S0BAR010FT

Popis: RES 0.01 OHM 1% 1W J LEAD

Výrobci: Ohmite
Na skladě
RFQ
RW1C026ZPT2CR

RW1C026ZPT2CR

Popis: MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RW1S0BA1R00J

RW1S0BA1R00J

Popis: RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD

Výrobci: Ohmite
Na skladě
RFQ
RW1S0BAR010JE

RW1S0BAR010JE

Popis: RES 0.01 OHM 5% 1W J LEAD

Výrobci: Ohmite
Na skladě
RFQ
RW1E025RPT2CR

RW1E025RPT2CR

Popis: MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RW1E014SNT2R

RW1E014SNT2R

Popis: MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RW1S0BAR010FE

RW1S0BAR010FE

Popis: RES 0.01 OHM 1% 1W J LEAD

Výrobci: Ohmite
Na skladě
RFQ
RW1E015RPT2R

RW1E015RPT2R

Popis: MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RW1S0BAR005JET

RW1S0BAR005JET

Popis: RES 0.005 OHM 5% 1W J LEAD

Výrobci: Ohmite
Na skladě
RFQ
RW1A030APT2CR

RW1A030APT2CR

Popis: MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RW1S0BAR010F

RW1S0BAR010F

Popis: RES 0.01 OHM 1% 1W J LEAD

Výrobci: Ohmite
Na skladě
RFQ
RW1S0BAR010J

RW1S0BAR010J

Popis: RES 0.01 OHM 5% 1W J LEAD

Výrobci: Ohmite
Na skladě
RFQ
RW1C015UNT2R

RW1C015UNT2R

Popis: MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RW1S0BA1R00JE

RW1S0BA1R00JE

Popis: RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD

Výrobci: Ohmite
Na skladě
RFQ
RW1S0BAR005J

RW1S0BAR005J

Popis: RES 0.005 OHM 5% 1W J LEAD

Výrobci: Ohmite
Na skladě
RFQ
RW1S0BAR005JE

RW1S0BAR005JE

Popis: RES 0.005 OHM 5% 1W J LEAD

Výrobci: Ohmite
Na skladě
RFQ
RW1C025ZPT2CR

RW1C025ZPT2CR

Popis: MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RW1C020UNT2R

RW1C020UNT2R

Popis: MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RW1S0BA1R00JT

RW1S0BA1R00JT

Popis: RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD

Výrobci: Ohmite
Na skladě
RFQ
RW1S0BAR010FET

RW1S0BAR010FET

Popis: RES 0.01 OHM 1% 1W J LEAD

Výrobci: Ohmite
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.