Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > PSMN1R2-30YLDX
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5755287PSMN1R2-30YLDX Image.Nexperia

PSMN1R2-30YLDX

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$1.24
10+
$1.102
100+
$0.871
500+
$0.675
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    PSMN1R2-30YLDX
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
  • Vgs (th) (max) 'Id
    2.2V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    LFPAK56, Power-SO8
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    1.24 mOhm @ 25A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    194W (Tc)
  • Obal
    Cut Tape (CT)
  • Paket / krabice
    SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
  • Ostatní jména
    1727-1860-1
    568-11556-1
    568-11556-1-ND
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    4616pF @ 15V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    68nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    30V
  • Detailní popis
    N-Channel 30V 100A (Tc) 194W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)
PSMN1R3-30YL,115

PSMN1R3-30YL,115

Popis: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

Výrobci: Nexperia
Na skladě
PSMN1R5-25YL,115

PSMN1R5-25YL,115

Popis: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK

Výrobci: Nexperia
Na skladě
PSMN1R4-30YLDX

PSMN1R4-30YLDX

Popis: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

Výrobci: Nexperia
Na skladě
PSMN1R4-40YLDX

PSMN1R4-40YLDX

Popis: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK

Výrobci: Nexperia
Na skladě
PSMN1R0-40ULDX

PSMN1R0-40ULDX

Popis: PSMN1R0-40ULD/SOT1023/4 LEADS

Výrobci: Nexperia
Na skladě
PSMN1R0-40YLDX

PSMN1R0-40YLDX

Popis: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK

Výrobci: Nexperia
Na skladě
PSMN1R5-40PS,127

PSMN1R5-40PS,127

Popis: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB

Výrobci: Nexperia
Na skladě
PSMN1R5-30BLEJ

PSMN1R5-30BLEJ

Popis: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK

Výrobci: Nexperia
Na skladě
PSMN1R1-25YLC,115

PSMN1R1-25YLC,115

Popis: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK

Výrobci: Nexperia
Na skladě
PSMN1R5-30YLC,115

PSMN1R5-30YLC,115

Popis: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

Výrobci: Nexperia
Na skladě
PSMN1R2-25YL,115

PSMN1R2-25YL,115

Popis: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK

Výrobci: Nexperia
Na skladě
PSMN1R1-30EL,127

PSMN1R1-30EL,127

Popis: MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK

Výrobci: Nexperia
Na skladě
PSMN1R2-25YLDX

PSMN1R2-25YLDX

Popis: PSMN1R2-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1

Výrobci: Nexperia
Na skladě
PSMN1R5-30YL,115

PSMN1R5-30YL,115

Popis: MOSFET N-CH 30V LFPAK

Výrobci: Nexperia
Na skladě
PSMN1R2-25YLC,115

PSMN1R2-25YLC,115

Popis: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK

Výrobci: Nexperia
Na skladě
PSMN1R2-30YLC,115

PSMN1R2-30YLC,115

Popis: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

Výrobci: Nexperia
Na skladě
PSMN1R1-40BS,118

PSMN1R1-40BS,118

Popis: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

Výrobci: Nexperia
Na skladě
PSMN1R6-30BL,118

PSMN1R6-30BL,118

Popis: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

Výrobci: Nexperia
Na skladě
PSMN1R1-30PL,127

PSMN1R1-30PL,127

Popis: MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB

Výrobci: Nexperia
Na skladě
PSMN1R5-40ES,127

PSMN1R5-40ES,127

Popis: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK

Výrobci: Nexperia
Na skladě

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení