Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FET, MOSFET - RF > A2G22S251-01SR3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2479408

A2G22S251-01SR3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
250+
$114.906
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    A2G22S251-01SR3
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
  • Stav volného vedení / RoHS
  • Datasheety
  • Napětí - Test
    48V
  • Napětí - Jmenovitá
    125V
  • Transistor Type
    LDMOS
  • Dodavatel zařízení Package
    NI-400S-2S
  • Série
    -
  • Power - Výstup
    52dBm
  • Paket / krabice
    NI-400S-2S
  • Ostatní jména
    935313179528
  • hluk Obrázek
    -
  • Získat
    17.7dB
  • Frekvence
    1.805GHz ~ 2.2GHz
  • Detailní popis
    RF Mosfet LDMOS 48V 200mA 1.805GHz ~ 2.2GHz 17.7dB 52dBm NI-400S-2S
  • Jmenovitá hodnota proudu
    -
  • Aktuální - Test
    200mA
NE5531079A-T1A-A

NE5531079A-T1A-A

Popis: FET RF 30V 460MHZ 79A

Výrobci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na skladě
A2G35S160-01SR3

A2G35S160-01SR3

Popis: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

Výrobci: NXP Semiconductors / Freescale
Na skladě
3SK291(TE85L,F)

3SK291(TE85L,F)

Popis: MOSFET N-CH SMQ

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
PTFA180701FV4R0XTMA1

PTFA180701FV4R0XTMA1

Popis: RF MOSFET LDMOS 28V H-37265-2

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
A2G26H281-04SR3

A2G26H281-04SR3

Popis: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

Výrobci: NXP Semiconductors / Freescale
Na skladě
BF998WR,115

BF998WR,115

Popis: MOSFET N-CH 12V 30MA SOT343R

Výrobci: NXP Semiconductors / Freescale
Na skladě
CGHV96050F2

CGHV96050F2

Popis: RF MOSFET HEMT 40V 440210

Výrobci: Cree Wolfspeed
Na skladě
NE3510M04-T2-A

NE3510M04-T2-A

Popis: FET RF 4V 4GHZ M04

Výrobci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na skladě
A2T27S020NR1

A2T27S020NR1

Popis: AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

Výrobci: NXP Semiconductors / Freescale
Na skladě
A2T18H160-24SR3

A2T18H160-24SR3

Popis: IC TRANS RF LDMOS

Výrobci: NXP Semiconductors / Freescale
Na skladě
BLF6G10-45,112

BLF6G10-45,112

Popis: RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A

Výrobci: Ampleon
Na skladě
MRF176GV

MRF176GV

Popis: FET RF 2CH 125V 225MHZ 375-04

Výrobci: Aeroflex (MACOM Technology Solutions)
Na skladě
A2G26H280-04SR3

A2G26H280-04SR3

Popis: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

Výrobci: NXP Semiconductors / Freescale
Na skladě
BLF644PU

BLF644PU

Popis: RF FET LDMOS 65V 23.5DB SOT1228A

Výrobci: Ampleon
Na skladě
A2G22S160-01SR3

A2G22S160-01SR3

Popis: IC TRANS RF LDMOS

Výrobci: NXP Semiconductors / Freescale
Na skladě
PTFA192001E1V4XWSA1

PTFA192001E1V4XWSA1

Popis: FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
A2G35S200-01SR3

A2G35S200-01SR3

Popis: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

Výrobci: NXP Semiconductors / Freescale
Na skladě
BF1009SE6327HTSA1

BF1009SE6327HTSA1

Popis: MOSFET N-CH 12V 25MA SOT-143

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
BLF861A,112

BLF861A,112

Popis: RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT540A

Výrobci: Ampleon
Na skladě
BLF2425M8LS140U

BLF2425M8LS140U

Popis: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B

Výrobci: Ampleon
Na skladě

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení