Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Ochrana obvodu > TVS - diody > MXP4KE51AE3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
3333624MXP4KE51AE3 Image.Microsemi Corporation

MXP4KE51AE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
100+
$20.717
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    MXP4KE51AE3
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC DO41
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
  • Napětí - Reverse Standoff (typ)
    1
  • Napětí - upnutí (max.) @ Ipp
    48.5V
  • Napětí - porucha (Min)
    43.6V
  • Napětí - Rozdělení
    DO-204AL (DO-41)
  • Typ
    Zener
  • Série
    Military, MIL-PRF-19500
  • Stav RoHS
    Bulk
  • Zvlněný proud - nízká frekvence
    General Purpose
  • Ochrana napájecího vedení
    400W
  • Napájení - špičkový impuls
    5.7A
  • Polarizace
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Ostatní jména
    1086-12804
    1086-12804-MIL
  • Provozní teplota
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní číslo výrobce
    MXP4KE51AE3
  • Popis
    TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC DO41
  • Proud - špičkový impuls (10 / 1000μs)
    70.1V
  • Kapacitní @ Frekvence
    -
  • Obousměrné kanály
    No

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „MXP4KE51AE3“.
MXP4KE6.8CA

MXP4KE6.8CA

Popis: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO41

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
MXP4KE51A

MXP4KE51A

Popis: TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC DO41

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
MXP4KE47CAE3

MXP4KE47CAE3

Popis: TVS DIODE 40.2VWM 64.8VC DO41

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
MXP4KE47CA

MXP4KE47CA

Popis: TVS DIODE 40.2VWM 64.8VC DO41

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
MXP4KE56CA

MXP4KE56CA

Popis: TVS DIODE 47.8VWM 77VC DO41

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
MXP4KE56CAE3

MXP4KE56CAE3

Popis: TVS DIODE 47.8VWM 77VC DO41

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
MXP4KE6.8A

MXP4KE6.8A

Popis: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO41

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
MXP4KE56A

MXP4KE56A

Popis: TVS DIODE 47.8VWM 77VC DO41

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
MXP4KE43CAE3

MXP4KE43CAE3

Popis: TVS DIODE 36.8VWM 59.3VC DO41

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
MXP4KE47AE3

MXP4KE47AE3

Popis: TVS DIODE 40.2VWM 64.8VC DO41

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
MXP4KE51CA

MXP4KE51CA

Popis: TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC DO41

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
MXP4KE47A

MXP4KE47A

Popis: TVS DIODE 40.2VWM 64.8VC DO41

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
MXP4KE43CA

MXP4KE43CA

Popis: TVS DIODE 36.8VWM 59.3VC DO41

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
MXP4KE56AE3

MXP4KE56AE3

Popis: TVS DIODE 47.8VWM 77VC DO41

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
MXP4KE43A

MXP4KE43A

Popis: TVS DIODE 36.8VWM 59.3VC DO41

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
MXP4KE51CAE3

MXP4KE51CAE3

Popis: TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC DO41

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
MXP4KE6.8CAE3

MXP4KE6.8CAE3

Popis: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO41

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
MXP4KE400CAE3

MXP4KE400CAE3

Popis: TVS DIODE 342V 548V DO204AL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MXP4KE6.8AE3

MXP4KE6.8AE3

Popis: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO41

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
MXP4KE43AE3

MXP4KE43AE3

Popis: TVS DIODE 36.8VWM 59.3VC DO41

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.