Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Ochrana obvodu > TVS - diody > MXLSMCJ30AE3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
399201MXLSMCJ30AE3 Image.Microsemi

MXLSMCJ30AE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
100+
$10.734
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    MXLSMCJ30AE3
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    TVS DIODE 30V 48.4V DO214AB
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
  • Datasheety
    MXLSMCJ30AE3.pdf
  • Napětí - Reverse Standoff (typ)
    30V
  • Napětí - upnutí (max.) @ Ipp
    48.4V
  • Napětí - porucha (Min)
    33.3V
  • Jednosměrné kanály
    1
  • Typ
    Zener
  • Dodavatel zařízení Package
    DO-214AB (SMCJ)
  • Série
    Military, MIL-PRF-19500
  • Ochrana napájecího vedení
    No
  • Napájení - špičkový impuls
    1500W (1.5kW)
  • Obal
    Bulk
  • Paket / krabice
    DO-214AB, SMC
  • Ostatní jména
    1086-12126
    1086-12126-MIL
  • Provozní teplota
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Proud - špičkový impuls (10 / 1000μs)
    31A
  • Kapacitní @ Frekvence
    -
  • Aplikace
    General Purpose

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „MXLSMCJ30AE3“.
MXLSMCJ28CA

MXLSMCJ28CA

Popis: TVS DIODE 28V 45.4V DO214AB

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MXLSMCJ28A

MXLSMCJ28A

Popis: TVS DIODE 28V 45.4V DO214AB

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MXLSMCJ28AE3

MXLSMCJ28AE3

Popis: TVS DIODE 28V 45.4V DO214AB

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MXLSMCJ26CA

MXLSMCJ26CA

Popis: TVS DIODE 26V 42.1V DO214AB

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MXLSMCJ30A/TR

MXLSMCJ30A/TR

Popis: HI REL TVS

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MXLSMCJ30CAE3

MXLSMCJ30CAE3

Popis: TVS DIODE 30V 48.4V DO214AB

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MXLSMCJ36AE3

MXLSMCJ36AE3

Popis: TVS DIODE 36V 58.1V DO214AB

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MXLSMCJ30A

MXLSMCJ30A

Popis: TVS DIODE 30V 48.4V DO214AB

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MXLSMCJ36CAE3

MXLSMCJ36CAE3

Popis: TVS DIODE 36V 58.1V DO214AB

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MXLSMCJ33AE3

MXLSMCJ33AE3

Popis: TVS DIODE 33V 53.3V DO214AB

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MXLSMCJ28CAE3

MXLSMCJ28CAE3

Popis: TVS DIODE 28V 45.4V DO214AB

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MXLSMCJ33CA

MXLSMCJ33CA

Popis: TVS DIODE 33V 53.3V DO214AB

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MXLSMCJ36CA

MXLSMCJ36CA

Popis: TVS DIODE 36V 58.1V DO214AB

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MXLSMCJ33CAE3

MXLSMCJ33CAE3

Popis: TVS DIODE 33V 53.3V DO214AB

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MXLSMCJ28A/TR

MXLSMCJ28A/TR

Popis: HI REL TVS

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MXLSMCJ30CA

MXLSMCJ30CA

Popis: TVS DIODE 30V 48.4V DO214AB

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MXLSMCJ26CAE3

MXLSMCJ26CAE3

Popis: TVS DIODE 26V 42.1V DO214AB

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MXLSMCJ36A

MXLSMCJ36A

Popis: TVS DIODE 36V 58.1V DO214AB

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MXLSMCJ28CAE3/TR

MXLSMCJ28CAE3/TR

Popis: HI REL TVS

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MXLSMCJ33A

MXLSMCJ33A

Popis: TVS DIODE 33V 53.3V DO214AB

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.