Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Ochrana obvodu > TVS - diody > MAP6KE82CAE3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
3496510

MAP6KE82CAE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    MAP6KE82CAE3
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    TVS DIODE 70.1V 113V T-18
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
  • Datasheety
    MAP6KE82CAE3.pdf
  • Napětí - Reverse Standoff (typ)
    70.1V
  • Napětí - upnutí (max.) @ Ipp
    113V
  • Napětí - porucha (Min)
    77.9V
  • Typ
    Zener
  • Dodavatel zařízení Package
    T-18
  • Série
    Military, MIL-PRF-19500
  • Ochrana napájecího vedení
    No
  • Napájení - špičkový impuls
    600W
  • Obal
    Bulk
  • Paket / krabice
    T-18, Axial
  • Ostatní jména
    1086-4612
    1086-4612-MIL
  • Provozní teplota
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Proud - špičkový impuls (10 / 1000μs)
    5.3A
  • Kapacitní @ Frekvence
    -
  • Obousměrné kanály
    1
  • Aplikace
    General Purpose

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „MAP6KE82CAE3“.
MAP6KE75CA

MAP6KE75CA

Popis: TVS DIODE 64.1V 103V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE75AE3

MAP6KE75AE3

Popis: TVS DIODE 64.1V 103V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE9.1CAE3

MAP6KE9.1CAE3

Popis: TVS DIODE 7.78V 13.4V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE82CA

MAP6KE82CA

Popis: TVS DIODE 70.1V 113V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE91CAE3

MAP6KE91CAE3

Popis: TVS DIODE 77.8V 125V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE9.1AE3

MAP6KE9.1AE3

Popis: TVS DIODE 7.78V 13.4V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP80-1012

MAP80-1012

Popis: AC/DC CONVERTER 12V 80W

Výrobci: Bel
Na skladě
RFQ
MAP6KE8.2CA

MAP6KE8.2CA

Popis: TVS DIODE 7.02V 12.1V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE82AE3

MAP6KE82AE3

Popis: TVS DIODE 70.1V 113V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE8.2A

MAP6KE8.2A

Popis: TVS DIODE 7.02V 12.1V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE9.1CA

MAP6KE9.1CA

Popis: TVS DIODE 7.78V 13.4V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE75CAE3

MAP6KE75CAE3

Popis: TVS DIODE 64.1V 103V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE91CA

MAP6KE91CA

Popis: TVS DIODE 77.8V 125V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE91A

MAP6KE91A

Popis: TVS DIODE 77.8V 125V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE8.2CAE3

MAP6KE8.2CAE3

Popis: TVS DIODE 7.02V 12.1V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP80-1012G

MAP80-1012G

Popis: AC/DC CONVERTER 12V 80W

Výrobci: Bel
Na skladě
RFQ
MAP6KE82A

MAP6KE82A

Popis: TVS DIODE 70.1V 113V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE8.2AE3

MAP6KE8.2AE3

Popis: TVS DIODE 7.02V 12.1V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE9.1A

MAP6KE9.1A

Popis: TVS DIODE 7.78V 13.4V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE91AE3

MAP6KE91AE3

Popis: TVS DIODE 77.8V 125V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.