Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Ochrana obvodu > TVS - diody > MAP6KE12AE3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
6781322

MAP6KE12AE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    MAP6KE12AE3
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    TVS DIODE 10.2V 16.7V T-18
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
  • Datasheety
    MAP6KE12AE3.pdf
  • Napětí - Reverse Standoff (typ)
    10.2V
  • Napětí - upnutí (max.) @ Ipp
    16.7V
  • Napětí - porucha (Min)
    11.4V
  • Jednosměrné kanály
    1
  • Typ
    Zener
  • Dodavatel zařízení Package
    T-18
  • Série
    Military, MIL-PRF-19500
  • Ochrana napájecího vedení
    No
  • Napájení - špičkový impuls
    600W
  • Obal
    Bulk
  • Paket / krabice
    T-18, Axial
  • Ostatní jména
    1086-4494
    1086-4494-MIL
  • Provozní teplota
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Proud - špičkový impuls (10 / 1000μs)
    36A
  • Kapacitní @ Frekvence
    -
  • Aplikace
    General Purpose

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „MAP6KE12AE3“.
MAP6KE11A

MAP6KE11A

Popis: TVS DIODE 9.4V 15.6V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE12CAE3

MAP6KE12CAE3

Popis: TVS DIODE 10.2V 16.7V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE120AE3

MAP6KE120AE3

Popis: TVS DIODE 102V 165V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE130CA

MAP6KE130CA

Popis: TVS DIODE 111V 179V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE130A

MAP6KE130A

Popis: TVS DIODE 111V 179V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE12CA

MAP6KE12CA

Popis: TVS DIODE 10.2V 16.7V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE13AE3

MAP6KE13AE3

Popis: TVS DIODE 11.1V 18.2V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE13CAE3

MAP6KE13CAE3

Popis: TVS DIODE 11.1V 18.2V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE13A

MAP6KE13A

Popis: TVS DIODE 11.1V 18.2V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE130CAE3

MAP6KE130CAE3

Popis: TVS DIODE 111V 179V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE110CAE3

MAP6KE110CAE3

Popis: TVS DIODE 94V 152V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE120A

MAP6KE120A

Popis: TVS DIODE 102V 165V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE11CA

MAP6KE11CA

Popis: TVS DIODE 9.4V 15.6V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE130AE3

MAP6KE130AE3

Popis: TVS DIODE 111V 179V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE120CA

MAP6KE120CA

Popis: TVS DIODE 102V 165V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE13CA

MAP6KE13CA

Popis: TVS DIODE 11.1V 18.2V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE12A

MAP6KE12A

Popis: TVS DIODE 10.2V 16.7V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE120CAE3

MAP6KE120CAE3

Popis: TVS DIODE 102V 165V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE11AE3

MAP6KE11AE3

Popis: TVS DIODE 9.4V 15.6V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
MAP6KE11CAE3

MAP6KE11CAE3

Popis: TVS DIODE 9.4V 15.6V T-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.