Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Ochrana obvodu > TVS - diody > JAN1N6120AUS
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
6947960

JAN1N6120AUS

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
100+
$17.447
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    JAN1N6120AUS
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    TVS DIODE 29.7V 53.6V B SQ-MELF
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
  • Datasheety
    JAN1N6120AUS.pdf
  • Napětí - Reverse Standoff (typ)
    29.7V
  • Napětí - upnutí (max.) @ Ipp
    53.6V
  • Napětí - porucha (Min)
    37.1V
  • Typ
    Zener
  • Dodavatel zařízení Package
    B, SQ-MELF
  • Série
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Ochrana napájecího vedení
    No
  • Napájení - špičkový impuls
    500W
  • Obal
    Bulk
  • Paket / krabice
    SQ-MELF, B
  • Ostatní jména
    1086-2196
    1086-2196-MIL
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    18 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Proud - špičkový impuls (10 / 1000μs)
    9.3A
  • Kapacitní @ Frekvence
    -
  • Obousměrné kanály
    1
  • Aplikace
    General Purpose

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „JAN1N6120AUS“.
JAN1N6119

JAN1N6119

Popis: TVS DIODE 27.4V 52.4V AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6122AUS

JAN1N6122AUS

Popis: TVS DIODE 35.8V 64.6V B SQ-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6119US

JAN1N6119US

Popis: TVS DIODE 27.4V 52.4V B SQ-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6118

JAN1N6118

Popis: TVS DIODE 25.1V 47.99V AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6123

JAN1N6123

Popis: TVS DIODE 38.8V 73.61V AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6121A

JAN1N6121A

Popis: TVS DIODE 32.7V 59.1V AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6118AUS

JAN1N6118AUS

Popis: TVS DIODE 25.1V 45.7V B SQ-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6120US

JAN1N6120US

Popis: TVS DIODE 29.7V 56.28V B SQ-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6119A

JAN1N6119A

Popis: TVS DIODE 27.4V 49.9V AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6121

JAN1N6121

Popis: TVS DIODE 32.7V 62.06V AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6122A

JAN1N6122A

Popis: TVS DIODE 35.8V 64.6V AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6122US

JAN1N6122US

Popis: TVS DIODE 35.8V 67.83V B SQ-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6120A

JAN1N6120A

Popis: TVS DIODE 29.7V 53.6V AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6118A

JAN1N6118A

Popis: TVS DIODE 25.1V 45.7V AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6120

JAN1N6120

Popis: TVS DIODE 29.7V 56.28V AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6121AUS

JAN1N6121AUS

Popis: TVS DIODE 32.7V 59.1V B SQ-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6121US

JAN1N6121US

Popis: TVS DIODE 32.7V 62.06V B SQ-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6122

JAN1N6122

Popis: TVS DIODE 35.8V 67.83V AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6119AUS

JAN1N6119AUS

Popis: TVS DIODE 27.4V 49.9V B SQ-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6118US

JAN1N6118US

Popis: TVS DIODE 25.1V 47.99V B SQ-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.