Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Ochrana obvodu > TVS - diody > JAN1N6108US
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
6162953

JAN1N6108US

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
100+
$17.447
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    JAN1N6108US
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    TVS DIODE 9.1V 17.75V B SQ-MELF
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
  • Datasheety
    JAN1N6108US.pdf
  • Napětí - Reverse Standoff (typ)
    9.1V
  • Napětí - upnutí (max.) @ Ipp
    17.75V
  • Napětí - porucha (Min)
    10.83V
  • Typ
    Zener
  • Dodavatel zařízení Package
    B, SQ-MELF
  • Série
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Ochrana napájecího vedení
    No
  • Napájení - špičkový impuls
    500W
  • Obal
    Bulk
  • Paket / krabice
    SQ-MELF, B
  • Ostatní jména
    1086-2152
    1086-2152-MIL
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    18 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Proud - špičkový impuls (10 / 1000μs)
    28.12A
  • Kapacitní @ Frekvence
    -
  • Obousměrné kanály
    1
  • Aplikace
    General Purpose

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „JAN1N6108US“.
JAN1N6108

JAN1N6108

Popis: TVS DIODE 9.1V 17.75V AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6109

JAN1N6109

Popis: TVS DIODE 9.9V 19.11V AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6107US

JAN1N6107US

Popis: TVS DIODE 8.4V 16.38V B SQ-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6108A

JAN1N6108A

Popis: TVS DIODE 9.1V 16.9V AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6109A

JAN1N6109A

Popis: TVS DIODE 9.9V 18.2V AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6107

JAN1N6107

Popis: TVS DIODE 8.4V 16.38V AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6106A

JAN1N6106A

Popis: TVS DIODE 7.6V 14.5V AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6111A

JAN1N6111A

Popis: TVS DIODE 12.2V 22.3V AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6106US

JAN1N6106US

Popis: TVS DIODE 7.6V 15.23V B SQ-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6110US

JAN1N6110US

Popis: TVS DIODE 11.4V 22.05V B SQ-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6110AUS

JAN1N6110AUS

Popis: TVS DIODE 11.4V 21V B SQ-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6107AUS

JAN1N6107AUS

Popis: TVS DIODE 8.4V 15.6V B SQ-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6109US

JAN1N6109US

Popis: TVS DIODE 9.9V 19.11V B SQ-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6110

JAN1N6110

Popis: TVS DIODE 11.4V 22.05V AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6108AUS

JAN1N6108AUS

Popis: TVS DIODE 9.1V 16.9V B SQ-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6109AUS

JAN1N6109AUS

Popis: TVS DIODE 9.9V 18.2V B SQ-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6106AUS

JAN1N6106AUS

Popis: TVS DIODE 7.6V 14.5V B SQ-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6111

JAN1N6111

Popis: TVS DIODE 12.2V 23.42V AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6107A

JAN1N6107A

Popis: TVS DIODE 8.4V 15.6V AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6110A

JAN1N6110A

Popis: TVS DIODE 11.4V 21V AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.