Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Diody - Usměrňovače - Jednoduché > JAN1N5809US
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
6547855

JAN1N5809US

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
100+
$10.528
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    JAN1N5809US
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
  • Datasheety
    JAN1N5809US.pdf
  • Napětí - Forward (VF) (Max) @-li
    875mV @ 4A
  • Napětí - DC Reverse (Vr) (Max)
    100V
  • Dodavatel zařízení Package
    B, SQ-MELF
  • Rychlost
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Série
    Military, MIL-PRF-19500/477
  • Reverse Time Recovery (TRR)
    30ns
  • Obal
    Bulk
  • Paket / krabice
    SQ-MELF, B
  • Ostatní jména
    1086-2125
    1086-2125-MIL
  • Provozní teplota - spojení
    -65°C ~ 175°C
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    8 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diode Type
    Standard
  • Detailní popis
    Diode Standard 100V 6A Surface Mount B, SQ-MELF
  • Proud - zpìtný únikový @ Vr
    5µA @ 100V
  • Proud - Průměrná Rektifikova (Io)
    6A
  • Kapacitní @ Vr, F
    60pF @ 10V, 1MHz

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „JAN1N5809US“.
JAN1N5806

JAN1N5806

Popis: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5807

JAN1N5807

Popis: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5907

JAN1N5907

Popis: TVS DIODE 5V 8.5V DO13

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5819UR-1/TR

JAN1N5819UR-1/TR

Popis: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5822

JAN1N5822

Popis: DIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5811

JAN1N5811

Popis: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5811URS

JAN1N5811URS

Popis: DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5809

JAN1N5809

Popis: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5819UR-1

JAN1N5819UR-1

Popis: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5807US

JAN1N5807US

Popis: DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5811US

JAN1N5811US

Popis: DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5806US

JAN1N5806US

Popis: DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5804URS

JAN1N5804URS

Popis: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5806URS

JAN1N5806URS

Popis: DIODE GEN PURP 150V 1A APKG

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5804US

JAN1N5804US

Popis: DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5814

JAN1N5814

Popis: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
JAN1N5816

JAN1N5816

Popis: DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
JAN1N5807URS

JAN1N5807URS

Popis: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5809URS

JAN1N5809URS

Popis: DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5819-1

JAN1N5819-1

Popis: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.