Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Diody - Usměrňovače - Jednoduché > JAN1N3647
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2314050

JAN1N3647

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
100+
$22.229
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    JAN1N3647
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    DIODE GEN PURP 3KV 250MA AXIAL
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
  • Datasheety
    JAN1N3647.pdf
  • Napětí - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Napětí - Forward (VF) (Max) @-li
    250mA
  • Napětí - Rozdělení
    S, Axial
  • Série
    Military, MIL-PRF-19500/279
  • Stav RoHS
    Bulk
  • Reverse Time Recovery (TRR)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Odpor při IF, F
    -
  • Polarizace
    S, Axial
  • Ostatní jména
    1086-16800
    1086-16800-MIL
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    8 Weeks
  • Výrobní číslo výrobce
    JAN1N3647
  • Rozšířený popis
    Diode Standard 3000V (3kV) 250mA Through Hole S, Axial
  • Konfigurace dioda
    5µA @ 1500V
  • Popis
    DIODE GEN PURP 3KV 250MA AXIAL
  • Proud - zpìtný únikový @ Vr
    5V @ 250mA
  • Proud - Průměrná Rektifikova (Io) (za Diode)
    3000V (3kV)
  • Kapacitní @ Vr, F
    -65°C ~ 150°C

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „JAN1N3647“.
JAN1N3673A

JAN1N3673A

Popis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N3768R

JAN1N3768R

Popis: DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N3671R

JAN1N3671R

Popis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N3766

JAN1N3766

Popis: DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N3595UR-1

JAN1N3595UR-1

Popis: DIODE GP 125V 150MA DO213AA

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N3595AUS

JAN1N3595AUS

Popis: DIODE GEN PURP 125V 150MA

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N3671A

JAN1N3671A

Popis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N3644

JAN1N3644

Popis: DIODE GEN PURP 1.5KV 250MA AXIAL

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
JAN1N3645

JAN1N3645

Popis: DIODE GEN PURP 1.4KV 250MA AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N3646

JAN1N3646

Popis: DIODE GP 1.75KV 250MA AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N3671AR

JAN1N3671AR

Popis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N3612

JAN1N3612

Popis: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
JAN1N3766R

JAN1N3766R

Popis: DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N3613

JAN1N3613

Popis: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N3611

JAN1N3611

Popis: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
JAN1N3673AR

JAN1N3673AR

Popis: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N3821A-1

JAN1N3821A-1

Popis: DIODE ZENER 3.3V 1W DO41

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
JAN1N3768

JAN1N3768

Popis: DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
JAN1N3600

JAN1N3600

Popis: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO7

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
JAN1N3614

JAN1N3614

Popis: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.