Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FET, MOSFETy - Pole > APTM100DDA35T3G
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4079937

APTM100DDA35T3G

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    APTM100DDA35T3G
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    1.APTM100DDA35T3G.pdf
    2.APTM100DDA35T3G.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    5V @ 2.5mA
  • Dodavatel zařízení Package
    SP3
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    420 mOhm @ 11A, 10V
  • Power - Max
    390W
  • Obal
    Bulk
  • Paket / krabice
    SP3
  • Provozní teplota
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Chassis Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    5200pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    186nC @ 10V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Feature
    Standard
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    1000V (1kV)
  • Detailní popis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP3
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    22A

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „APTM100DDA35T3G“.
APTM100DA40T1G

APTM100DA40T1G

Popis: MOSFET N-CH 1000V 20A SP1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM100DUM90G

APTM100DUM90G

Popis: MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM100H45SCTG

APTM100H45SCTG

Popis: MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM100H18FG

APTM100H18FG

Popis: MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM100DAM90G

APTM100DAM90G

Popis: MOSFET N-CH 1000V 78A SP6

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM100A23STG

APTM100A23STG

Popis: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM100DA18CT1G

APTM100DA18CT1G

Popis: MOSFET N-CH 1000V 40A SP1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM100H46FT3G

APTM100H46FT3G

Popis: MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM100H35FTG

APTM100H35FTG

Popis: MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM100DA33T1G

APTM100DA33T1G

Popis: MOSFET N-CH 1000V 23A SP1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM100H35FT3G

APTM100H35FT3G

Popis: MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM100DU18TG

APTM100DU18TG

Popis: MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM100A40FT1G

APTM100A40FT1G

Popis: MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM100H45FT3G

APTM100H45FT3G

Popis: MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM100A46FT1G

APTM100A46FT1G

Popis: MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM100AM90FG

APTM100AM90FG

Popis: MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM100H45STG

APTM100H45STG

Popis: MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM100DSK35T3G

APTM100DSK35T3G

Popis: MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM100DA18TG

APTM100DA18TG

Popis: MOSFET N-CH 1000V 43A SP4

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTM100DA18T1G

APTM100DA18T1G

Popis: MOSFET N-CH 1000V 40A SP1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.