Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - IGBT - moduly > APTGT75DH60T1G
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
3423913

APTGT75DH60T1G

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    APTGT75DH60T1G
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOD IGBT 600V 100A SP1
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    APTGT75DH60T1G.pdf
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    600V
  • VCE (o) (Max) @ VGE, Ic
    1.9V @ 15V, 75A
  • Dodavatel zařízení Package
    SP1
  • Série
    -
  • Power - Max
    250W
  • Paket / krabice
    SP1
  • Provozní teplota
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • NTC termistor
    Yes
  • Typ montáže
    Chassis Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Cies) @ Vce
    4.62nF @ 25V
  • Vstup
    Standard
  • Typ IGBT
    Trench Field Stop
  • Detailní popis
    IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 600V 100A 250W Chassis Mount SP1
  • Aktuální - sběratel Cutoff (Max)
    250µA
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    100A
  • Konfigurace
    Asymmetrical Bridge

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „APTGT75DH60T1G“.
APTGT75DA120D1G

APTGT75DA120D1G

Popis: IGBT 1200V 110A 357W D1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT75SK120TG

APTGT75SK120TG

Popis: IGBT 1200V 110A 357W SP4

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT75DSK60T3G

APTGT75DSK60T3G

Popis: IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT75DH60TG

APTGT75DH60TG

Popis: IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT75DH120TG

APTGT75DH120TG

Popis: IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT75DA170T1G

APTGT75DA170T1G

Popis: IGBT 1700V 130A 465W SP1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT75H60T3G

APTGT75H60T3G

Popis: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT75DA120T1G

APTGT75DA120T1G

Popis: IGBT 1200V 110A 357W SP1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT75SK120T1G

APTGT75SK120T1G

Popis: IGBT 1200V 110A 357W SP1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT75DA170D1G

APTGT75DA170D1G

Popis: IGBT 1700V 120A 520W D1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT75DU120TG

APTGT75DU120TG

Popis: IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT75H60T2G

APTGT75H60T2G

Popis: POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP2

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT75SK120D1G

APTGT75SK120D1G

Popis: IGBT 1200V 110A 357W D1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT75H60T1G

APTGT75H60T1G

Popis: POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT75DA120TG

APTGT75DA120TG

Popis: IGBT 1200V 110A 357W SP4

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT75DA60T1G

APTGT75DA60T1G

Popis: POWER MOD IGBT 600V 100A SP1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT75A60T1G

APTGT75A60T1G

Popis: IGBT PHASE LEG TRENCH 600V SP1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT75H120TG

APTGT75H120TG

Popis: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT75DH120T3G

APTGT75DH120T3G

Popis: MOD IGBT 1200V 110A SP3

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT75DDA60T3G

APTGT75DDA60T3G

Popis: IGBT MOD TRENCH DL BST CHOP SP3

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.