Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - IGBT - moduly > APTGT30TL601G
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5757857

APTGT30TL601G

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
100+
$34.508
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    APTGT30TL601G
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOD IGBT 600V 50A SP1
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    APTGT30TL601G.pdf
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    600V
  • VCE (o) (Max) @ VGE, Ic
    1.9V @ 15V, 30A
  • Dodavatel zařízení Package
    SP1
  • Série
    -
  • Power - Max
    90W
  • Paket / krabice
    SP1
  • Provozní teplota
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • NTC termistor
    No
  • Typ montáže
    Chassis Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    32 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Cies) @ Vce
    1.6nF @ 25V
  • Vstup
    Standard
  • Typ IGBT
    Trench Field Stop
  • Detailní popis
    IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter 600V 50A 90W Chassis Mount SP1
  • Aktuální - sběratel Cutoff (Max)
    250µA
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    50A
  • Konfigurace
    Three Level Inverter

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „APTGT30TL601G“.
APTGT30DDA60T3G

APTGT30DDA60T3G

Popis: IGBT MOD TRENCH DL BST CHOP SP3

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT35DA120D1G

APTGT35DA120D1G

Popis: IGBT 1200V 55A 205W D1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT30DSK60T3G

APTGT30DSK60T3G

Popis: IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT35X120T3G

APTGT35X120T3G

Popis: IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT30DA170D1G

APTGT30DA170D1G

Popis: IGBT 1700V 45A 210W D1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT30X60T3G

APTGT30X60T3G

Popis: IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT30SK170T1G

APTGT30SK170T1G

Popis: IGBT 1700V 45A 210W SP1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT30H60T3G

APTGT30H60T3G

Popis: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT30SK170D1G

APTGT30SK170D1G

Popis: IGBT 1700V 45A 210W D1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT30DA170T1G

APTGT30DA170T1G

Popis: IGBT 1700V 45A 210W SP1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT30H170T3G

APTGT30H170T3G

Popis: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT30H60T1G

APTGT30H60T1G

Popis: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT35H120T1G

APTGT35H120T1G

Popis: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT35A120T1G

APTGT35A120T1G

Popis: IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT400A120D3G

APTGT400A120D3G

Popis: IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D3

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT30A60T1G

APTGT30A60T1G

Popis: IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT35H120T3G

APTGT35H120T3G

Popis: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT30TL60T3G

APTGT30TL60T3G

Popis: MOD IGBT 600V 50A SP3

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT35SK120D1G

APTGT35SK120D1G

Popis: IGBT 1200V 55A 205W D1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTGT35A120D1G

APTGT35A120D1G

Popis: IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.