Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > APT6030BN
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
886626

APT6030BN

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    APT6030BN
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    APT6030BN.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-247AD
  • Série
    POWER MOS IV®
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    300 mOhm @ 11.5A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    360W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-247-3
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    3500pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    210nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    600V
  • Detailní popis
    N-Channel 600V 23A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247AD
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    23A (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „APT6030BN“.
APT5F100K

APT5F100K

Popis: MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT60D100SG

APT60D100SG

Popis: DIODE GEN PURP 1KV 60A D3

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
APT58MJ50J

APT58MJ50J

Popis: MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT60D100LCTG

APT60D100LCTG

Popis: DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT60D30BG

APT60D30BG

Popis: DIODE GEN PURP 300V 60A TO247

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
APT6017LLLG

APT6017LLLG

Popis: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
APT6017LFLLG

APT6017LFLLG

Popis: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT6013LLLG

APT6013LLLG

Popis: MOSFET N-CH 600V 43A TO-264

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
APT60D120SG

APT60D120SG

Popis: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A D3

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
APT5SM170S

APT5SM170S

Popis: MOSFET N-CH 700V D3PAK

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT6040BN

APT6040BN

Popis: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT6040BNG

APT6040BNG

Popis: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT6013JLL

APT6013JLL

Popis: MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
APT60D20BG

APT60D20BG

Popis: DIODE GEN PURP 200V 60A TO247

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
APT60D100BG

APT60D100BG

Popis: DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT60D120BG

APT60D120BG

Popis: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT5SM170B

APT5SM170B

Popis: MOSFET N-CH 700V TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT58M80J

APT58M80J

Popis: MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT60D20LCTG

APT60D20LCTG

Popis: DIODE ARRAY GP 200V 60A TO264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT6010B2LLG

APT6010B2LLG

Popis: MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.