Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - IGBT - moduly > APT200GN60J
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
1237887APT200GN60J Image.Microsemi

APT200GN60J

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$34.17
10+
$31.607
30+
$29.045
100+
$26.994
250+
$24.773
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    APT200GN60J
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IGBT 600V 283A 682W SOT227
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    600V
  • VCE (o) (Max) @ VGE, Ic
    1.85V @ 15V, 200A
  • Dodavatel zařízení Package
    ISOTOP®
  • Série
    -
  • Power - Max
    682W
  • Paket / krabice
    ISOTOP
  • Ostatní jména
    APT200GN60JMI
    APT200GN60JMI-ND
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • NTC termistor
    No
  • Typ montáže
    Chassis Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    18 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Cies) @ Vce
    14.1nF @ 25V
  • Vstup
    Standard
  • Typ IGBT
    Trench Field Stop
  • Detailní popis
    IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 283A 682W Chassis Mount ISOTOP®
  • Aktuální - sběratel Cutoff (Max)
    25µA
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    283A
  • Konfigurace
    Single
APT19F100J

APT19F100J

Popis: MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT19M120J

APT19M120J

Popis: MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT18M80B

APT18M80B

Popis: MOSFET N-CH 800V 19A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT18F60B

APT18F60B

Popis: MOSFET N-CH 600V 18A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT2012LSECK/J4-PRV

APT2012LSECK/J4-PRV

Popis: LED ORANGE CLEAR 2SMD

Výrobci: Kingbright
Na skladě
APT2012CGCK

APT2012CGCK

Popis: LED GREEN CLEAR CHIP SMD

Výrobci: Kingbright
Na skladě
APT200GT60JR

APT200GT60JR

Popis: IGBT 600V 195A ISOTOP

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT18F60S

APT18F60S

Popis: MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT2012LSYCK/J3-PRV

APT2012LSYCK/J3-PRV

Popis: LED YELLOW CLEAR 2SMD

Výrobci: Kingbright
Na skladě
APT200GN60JG

APT200GN60JG

Popis: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT17N80SC3G

APT17N80SC3G

Popis: MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT2012LSECK/J3-PRV

APT2012LSECK/J3-PRV

Popis: LED RED CLEAR 2SMD

Výrobci: Kingbright
Na skladě
APT200GN60JDQ4G

APT200GN60JDQ4G

Popis: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT18M100B

APT18M100B

Popis: MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT2012EC

APT2012EC

Popis: LED RED CLEAR CHIP SMD

Výrobci: Kingbright
Na skladě
APT17NTR-G1

APT17NTR-G1

Popis: TRANS NPN 480V SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
APT2012F3C

APT2012F3C

Popis: EMITTER IR 940NM 50MA 0805

Výrobci: Kingbright
Na skladě
APT18M80S

APT18M80S

Popis: MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT200GN60JDQ4

APT200GN60JDQ4

Popis: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT200GN60B2G

APT200GN60B2G

Popis: IGBT 600V 283A 682W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení