Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - IGBT - Single > APT100GN60LDQ4G
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
922388APT100GN60LDQ4G Image.Microsemi

APT100GN60LDQ4G

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$15.86
10+
$14.416
25+
$13.334
100+
$12.253
250+
$11.172
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    APT100GN60LDQ4G
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IGBT 600V 229A 625W TO264
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    1.APT100GN60LDQ4G.pdf
    2.APT100GN60LDQ4G.pdf
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    600V
  • VCE (o) (Max) @ VGE, Ic
    1.85V @ 15V, 100A
  • Zkušební podmínky
    400V, 100A, 1 Ohm, 15V
  • Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C
    31ns/310ns
  • přepínání energie
    4.75mJ (on), 2.675mJ (off)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-264 [L]
  • Série
    -
  • Power - Max
    625W
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-264-3, TO-264AA
  • Ostatní jména
    APT100GN60LDQ4GMI
    APT100GN60LDQ4GMI-ND
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    32 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ vstupu
    Standard
  • Typ IGBT
    Trench Field Stop
  • Gate Charge
    600nC
  • Detailní popis
    IGBT Trench Field Stop 600V 229A 625W Through Hole TO-264 [L]
  • Aktuální - sběratel Pulsní (ICM)
    300A
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    229A

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „APT100GN60LDQ4G“.
APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

Popis: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT100GT120JR

APT100GT120JR

Popis: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT100GT60JR

APT100GT60JR

Popis: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

Popis: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT100S20BG

APT100S20BG

Popis: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT100F50J

APT100F50J

Popis: MOSFET N-CH 500V 103A SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT100GF60JU2

APT100GF60JU2

Popis: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT100GN120B2G

APT100GN120B2G

Popis: IGBT 1200V 245A 960W TMAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT100DL60BG

APT100DL60BG

Popis: DIODE GEN PURP 600V 100A TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

Popis: IGBT 600V 148A 500W SOT247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT100GF60JU3

APT100GF60JU3

Popis: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT100GN120JDQ4

APT100GN120JDQ4

Popis: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT100DL60HJ

APT100DL60HJ

Popis: MOD DIODE 600V SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT100GLQ65JU2

APT100GLQ65JU2

Popis: POWER MODULE - IGBT

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

Popis: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT100M50J

APT100M50J

Popis: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

Popis: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT100GN120J

APT100GN120J

Popis: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT100GN60B2G

APT100GN60B2G

Popis: IGBT 600V 229A 625W TMAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

Popis: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.