Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Integrované obvody (IC) > Paměť > MT53D512M64D4SB-046 XT:D
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
1605326

MT53D512M64D4SB-046 XT:D

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1190+
$123.24
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    MT53D512M64D4SB-046 XT:D
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IC DRAM 32G 2133MHZ
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Napište čas cyklu - slovo,
    -
  • Napětí - Supply
    1.1V
  • Technika
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Série
    -
  • Ostatní jména
    MT53D512M64D4SB-046 XT:D-ND
    MT53D512M64D4SB-046XT:D
  • Provozní teplota
    -30°C ~ 105°C (TC)
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ paměti
    Volatile
  • Velikost paměti
    32Gb (512M x 64)
  • Paměťové rozhraní
    -
  • Formát paměti
    DRAM
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Detailní popis
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 32Gb (512M x 64) 2133MHz
  • Frekvence hodin
    2133MHz
MT53D512M64D4RQ-053 WT:E

MT53D512M64D4RQ-053 WT:E

Popis: IC DRAM 32G 1866MHZ

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT53D512M64D4RQ-053 WT:E TR

MT53D512M64D4RQ-053 WT:E TR

Popis: IC DRAM 32G 1866MHZ

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B

MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B

Popis: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT53D512M64D8TZ-053 WT:B TR

MT53D512M64D8TZ-053 WT:B TR

Popis: IC DRAM 32G 1866MHZ

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT53D512M64D4RQ-046 WT:E

MT53D512M64D4RQ-046 WT:E

Popis: IC DRAM 32G 2133MHZ

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT53D6DABE-DC

MT53D6DABE-DC

Popis: SPECIAL/CUSTOM LPDDR4

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR

MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR

Popis: IC DRAM 32G 2133MHZ

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B TR

MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B TR

Popis: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT53D512M64D4SB-046 XT:D TR

MT53D512M64D4SB-046 XT:D TR

Popis: IC DRAM 32G 2133MHZ

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E

MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E

Popis: IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B

MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B

Popis: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR

MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR

Popis: IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E TR

MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E TR

Popis: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT53D512M64D4SB-046 XT:E

MT53D512M64D4SB-046 XT:E

Popis: IC DRAM 32G 2133MHZ

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E

MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E

Popis: IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR

MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR

Popis: IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT53D512M64D8HR-053 WT:B

MT53D512M64D8HR-053 WT:B

Popis: IC DRAM 32G 1866MHZ

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B TR

MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B TR

Popis: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT53D512M64D8TZ-053 WT:B

MT53D512M64D8TZ-053 WT:B

Popis: IC DRAM 32G 1866MHZ

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E

MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E

Popis: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení