Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Integrované obvody (IC) > Paměť > EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2428592

EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1000+
$14.864
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Napište čas cyklu - slovo,
    -
  • Napětí - Supply
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Technika
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Série
    -
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Ostatní jména
    EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR-ND
    EDB4432BBBJ-1DAUT-F-RTR
  • Provozní teplota
    -40°C ~ 125°C (TC)
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ paměti
    Volatile
  • Velikost paměti
    4Gb (128M x 32)
  • Paměťové rozhraní
    Parallel
  • Formát paměti
    DRAM
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Detailní popis
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (128M x 32) Parallel 533MHz
  • Frekvence hodin
    533MHz
EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
EDB4432BBBH-1D-F-R TR

EDB4432BBBH-1D-F-R TR

Popis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
EDB4416BBBH-1DIT-F-R TR

EDB4416BBBH-1DIT-F-R TR

Popis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
EDB4432BBPA-1D-F-D

EDB4432BBPA-1D-F-D

Popis: IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
EDB4432BBBJ-1D-F-R

EDB4432BBBJ-1D-F-R

Popis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR

EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR

EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR

EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR

Popis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
EDB4432BBPA-1D-F-R TR

EDB4432BBPA-1D-F-R TR

Popis: IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D

EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D

Popis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D

EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D

Popis: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
EDB4432BBBJ-1D-F-D

EDB4432BBBJ-1D-F-D

Popis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D

EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D

Popis: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
EDB5432BEBH-1DIT-F-D

EDB5432BEBH-1DIT-F-D

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
EDB4432BBPE-1D-F-D

EDB4432BBPE-1D-F-D

Popis: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
EDB5432BEPA-1DAAT-F-D

EDB5432BEPA-1DAAT-F-D

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR

EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
EDB5432BEBH-1DAAT-F-D

EDB5432BEBH-1DAAT-F-D

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR

EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR

Popis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
EDB4432BBBH-1D-F-D

EDB4432BBBH-1D-F-D

Popis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Výrobci: Micron Technology
Na skladě

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení