Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > RU1C001ZPTL
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
1961584RU1C001ZPTL Image.LAPIS Semiconductor

RU1C001ZPTL

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$0.29
10+
$0.267
100+
$0.149
500+
$0.08
1000+
$0.054
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    RU1C001ZPTL
  • Výrobce / značka
    LAPIS Technology
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET P-CH 20V 0.1A UMT3F
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    1.RU1C001ZPTL.pdf
    2.RU1C001ZPTL.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    1V @ 100µA
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    UMT3F
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    3.8 Ohm @ 100mA, 4.5V
  • Ztráta energie (Max)
    150mW (Ta)
  • Obal
    Cut Tape (CT)
  • Paket / krabice
    SC-85
  • Ostatní jména
    RU1C001ZPTLCT
  • Provozní teplota
    150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    10 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    15pF @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    1.2V, 4.5V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    20V
  • Detailní popis
    P-Channel 20V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount UMT3F
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    100mA (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27

AMD zahajuje výstavbu druhé fáze Design Center Bangalore

2024/11/26
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „RU1C001ZPTL“.
RU1608JR027CS

RU1608JR027CS

Popis: RES 27M OHM 5% 1/4W 0603

Výrobci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na skladě
RFQ
RU1E002SPTCL

RU1E002SPTCL

Popis: MOSFET P-CH 30V 0.25A UMT3F

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RU1608JR082CS

RU1608JR082CS

Popis: RES 82M OHM 5% 1/4W 0603

Výrobci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na skladě
RFQ
RU1608JR047CS

RU1608JR047CS

Popis: RES 47M OHM 5% 1/4W 0603

Výrobci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na skladě
RFQ
RU1608JR051CS

RU1608JR051CS

Popis: RES 51M OHM 5% 1/4W 0603

Výrobci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na skladě
RFQ
RU1C002ZPTCL

RU1C002ZPTCL

Popis: MOSFET P-CH 20V 0.2A UMT3F

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RU1608JR062CS

RU1608JR062CS

Popis: RES 62M OHM 5% 1/4W 0603

Výrobci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na skladě
RFQ
RU1608JR100CS

RU1608JR100CS

Popis: RES 100M OHM 5% 1/4W 0603

Výrobci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na skladě
RFQ
RU1608JR068CS

RU1608JR068CS

Popis: RES 0.068 OHM 5% 1/4W 0603

Výrobci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na skladě
RFQ
RU1608JR043CS

RU1608JR043CS

Popis: RES 43M OHM 5% 1/4W 0603

Výrobci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na skladě
RFQ
RU1608JR091CS

RU1608JR091CS

Popis: RES 91M OHM 5% 1/4W 0603

Výrobci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na skladě
RFQ
RU1C002UNTCL

RU1C002UNTCL

Popis: MOSFET N-CH 20V 0.2A UMT3F

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RU1608JR056CS

RU1608JR056CS

Popis: RES 56M OHM 5% 1/4W 0603

Výrobci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na skladě
RFQ
RU1608JR033CS

RU1608JR033CS

Popis: RES 33M OHM 5% 1/4W 0603

Výrobci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na skladě
RFQ
RU1608JR075CS

RU1608JR075CS

Popis: RES 75M OHM 5% 1/4W 0603

Výrobci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na skladě
RFQ
RU1608JR030CS

RU1608JR030CS

Popis: RES 30M OHM 5% 1/4W 0603

Výrobci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na skladě
RFQ
RU1608JR039CS

RU1608JR039CS

Popis: RES 39M OHM 5% 1/4W 0603

Výrobci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na skladě
RFQ
RU1J002YNTCL

RU1J002YNTCL

Popis: MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RU1608JR036CS

RU1608JR036CS

Popis: RES 36M OHM 5% 1/4W 0603

Výrobci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na skladě
RFQ
RU1C001UNTCL

RU1C001UNTCL

Popis: MOSFET N-CH 20V 0.1A UMT3F

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násZprávyMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.