Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > RTL035N03FRATR
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
6423880RTL035N03FRATR Image.LAPIS Semiconductor

RTL035N03FRATR

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$0.61
10+
$0.477
100+
$0.328
500+
$0.225
1000+
$0.168
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    RTL035N03FRATR
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    2.5V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
  • Vgs (th) (max) 'Id
    1.5V @ 1mA
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TUMT6
  • Série
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    56 mOhm @ 3.5A, 4.5V
  • Ztráta energie (Max)
    1W (Ta)
  • Obal
    Cut Tape (CT)
  • Paket / krabice
    6-SMD, Flat Leads
  • Ostatní jména
    RTL035N03FRACT
  • Provozní teplota
    150°C
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    10 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    350pF @ 10V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    6.4nC @ 4.5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    2.5V, 4.5V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    30V
  • Detailní popis
    N-Channel 30V 3.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TUMT6
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    3.5A (Ta)
RTLTE-304-W-AT

RTLTE-304-W-AT

Popis: WI-FI UMTS/EDVO ROUTER ATT

Výrobci: B+B SmartWorx, Inc.
Na skladě
RTLTE-300-AT

RTLTE-300-AT

Popis: LTE CELL ROUTER

Výrobci: B+B SmartWorx, Inc.
Na skladě
RTL25A

RTL25A

Popis: TEST LEAD BANANA TO PROBE

Výrobci: Amprobe
Na skladě
RTLTE-300-VZ

RTLTE-300-VZ

Popis: LTE CELL ROUTER 1ETN 1USB 2SIM

Výrobci: B+B SmartWorx, Inc.
Na skladě
RTL020P02TR

RTL020P02TR

Popis: MOSFET P-CH 20V 2A TUMT6

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RTLTE-304-VZ

RTLTE-304-VZ

Popis: LTE CELL ROUTER 1ETN 1RS485 WIFI

Výrobci: B+B SmartWorx, Inc.
Na skladě
RTLTE-300-W-VZ

RTLTE-300-W-VZ

Popis: LTE CELL ROUTER 1ETN 2SIM WIFI

Výrobci: B+B SmartWorx, Inc.
Na skladě
RTL030P02TR

RTL030P02TR

Popis: MOSFET P-CH 20V 3A TUMT6

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RTLTE-310-AT

RTLTE-310-AT

Popis: LTE CELL ROUTER

Výrobci: B+B SmartWorx, Inc.
Na skladě
RTLTE-311-AT

RTLTE-311-AT

Popis: LTE CELL ROUTER

Výrobci: B+B SmartWorx, Inc.
Na skladě
RTL035N03TR

RTL035N03TR

Popis: MOSFET N-CH 30V 3.5A TUMT6

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RTLTE-310-W-VZ

RTLTE-310-W-VZ

Popis: LTE CELL ROUTER 2ETN 2SIM WIFI

Výrobci: B+B SmartWorx, Inc.
Na skladě
RTLTE-304-W-VZ

RTLTE-304-W-VZ

Popis: WI-FI UMTS/EDVO ROUTER VERIZON

Výrobci: B+B SmartWorx, Inc.
Na skladě
RTLTE-302-VZ

RTLTE-302-VZ

Popis: LTE CELL ROUTER 1ETN 2SIM 1RS232

Výrobci: B+B SmartWorx, Inc.
Na skladě
RTLTE-302-AT

RTLTE-302-AT

Popis: LTE CELL ROUTER

Výrobci: B+B SmartWorx, Inc.
Na skladě
RTLTE-304-AT

RTLTE-304-AT

Popis: LTE CELL ROUTER

Výrobci: B+B SmartWorx, Inc.
Na skladě
RTLTE-300-W-AT

RTLTE-300-W-AT

Popis: LTE CELL ROUTER

Výrobci: B+B SmartWorx, Inc.
Na skladě
RTL020P02FRATR

RTL020P02FRATR

Popis: 2.5V DRIVE PCH MOSFET (CORRESPON

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RTL-ARM

RTL-ARM

Popis: REALVIEW REAL-TIME LIBRARY KIT

Výrobci: ARM
Na skladě
RTLTE-310-W-AT

RTLTE-310-W-AT

Popis: LTE CELL ROUTER

Výrobci: B+B SmartWorx, Inc.
Na skladě

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení