Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

*Jméno společnosti
*Jméno
*Titul

*Emailová adresa
*Telefonní číslo

*Země
*Kontaktní okno
*Datum události

*Zpráva

Pro návštěvníky na Electronica 2024

Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.

domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > RS1G180MNTB

RFQs/Objednávka (0)

Čeština

Čeština

6659256

RS1G180MNTB Image.

LAPIS Semiconductor

RS1G180MNTB

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě

2500+

$0.644

Online poptávka

Specifikace

Part Number

RS1G180MNTB
Výrobce / značka

LAPIS Technology
Množství zásob

Na skladě
Popis

MOSFET N-CH 40V 18A 8HSOP
Stav volného vedení / RoHS

Bez olova / V souladu RoHS
Datasheety

1.RS1G180MNTB.pdf
2.RS1G180MNTB.pdf
Vgs (th) (max) 'Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technika

MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package

8-HSOP
Série

-
RDS On (Max) @ Id, Vgs

7 mOhm @ 18A, 10V
Ztráta energie (Max)

3W (Ta), 30W (Tc)
Obal

Tape & Reel (TR)
Paket / krabice

8-PowerTDFN
Provozní teplota

150°C (TJ)
Typ montáže

Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby

40 Weeks
Stav volného vedení / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

1293pF @ 20V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

19.5nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET Feature

-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)

4.5V, 10V
Drain na zdroj napětí (Vdss)

40V
Detailní popis

N-Channel 40V 18A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C

18A (Ta), 80A (Tc)

Související zprávy
Lodní doprava
Platba

AMD zahajuje výstavbu druhé fáze Design Center Bangalore

Grafická karta NVIDIA RTX 5090 má oblast GPU 744 mm ², c...

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

Lodní doprava

Způsob platby

Následuje produkty související s „RS1G180MNTB“.

RS1G300GNTB

Popis: MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP

Výrobci: LAPIS Semiconductor

Na skladě

RS1G-E3/5AT

Popis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

RS1G-E3/61T

Popis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

RS1GFS MXG

Popis: DIODE, FAST, 1A, 400V

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)

Na skladě

RS1G120MNTB

Popis: MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP

Výrobci: LAPIS Semiconductor

Na skladě

RS1GFA

Popis: DIODE GP 400V 800MA SOD123FA

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

RS1G R3G

Popis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)

Na skladě

RS1G-13

Popis: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Výrobci: Diodes Incorporated

Na skladě

RS1GFSHMWG

Popis: DIODE

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)

Na skladě

RS1GB-13

Popis: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

Výrobci: Diodes Incorporated

Na skladě

RS1G-M3/5AT

Popis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

RS1GB-13-F

Popis: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

Výrobci: Diodes Incorporated

Na skladě

RS1GFSHMXG

Popis: DIODE, FAST, 1A, 400V

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)

Na skladě

RS1G260MNTB

Popis: MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP

Výrobci: LAPIS Semiconductor

Na skladě

RS1G/1

Popis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

RS1G150MNTB

Popis: MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP

Výrobci: LAPIS Semiconductor

Na skladě

RS1GHE3/5AT

Popis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

RS1G-M3/61T

Popis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

RS1GFS MWG

Popis: DIODE

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)

Na skladě

RS1G-13-F

Popis: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Výrobci: Diodes Incorporated

Na skladě

Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.

Následuj nás

Všeobecné obchodní podmínky Politika porušení Požádat o nabídku O nás Kontaktujte nás Mapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.