Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > RQ3E120ATTB
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
664953

RQ3E120ATTB

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$0.78
10+
$0.654
100+
$0.49
500+
$0.36
1000+
$0.278
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    RQ3E120ATTB
  • Výrobce / značka
    LAPIS Technology
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    1.RQ3E120ATTB.pdf
    2.RQ3E120ATTB.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    8-HSMT (3.2x3)
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    8 mOhm @ 12A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    2W (Ta)
  • Obal
    Cut Tape (CT)
  • Paket / krabice
    8-PowerVDFN
  • Ostatní jména
    RQ3E120ATTBCT
  • Provozní teplota
    150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    40 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    3200pF @ 15V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    62nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    30V
  • Detailní popis
    P-Channel 30V 12A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    12A (Ta)

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „RQ3E120ATTB“.
RQ3E070BNTB

RQ3E070BNTB

Popis: MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RQ3E130BNTB

RQ3E130BNTB

Popis: MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RQ3E080GNTB

RQ3E080GNTB

Popis: MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RQ3E150BNTB

RQ3E150BNTB

Popis: MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RQ3E100MNTB1

RQ3E100MNTB1

Popis: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RQ3C150BCTB

RQ3C150BCTB

Popis: MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RQ3E075ATTB

RQ3E075ATTB

Popis: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RQ3E150GNTB

RQ3E150GNTB

Popis: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSMT

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RQ3E180BNTB

RQ3E180BNTB

Popis: MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RQ3E180GNTB

RQ3E180GNTB

Popis: MOSFET N-CH 30V 18A 8-HSMT

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RQ3E080BNTB

RQ3E080BNTB

Popis: MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RQ3E150MNTB1

RQ3E150MNTB1

Popis: MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RQ3E100GNTB

RQ3E100GNTB

Popis: MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RQ3G100GNTB

RQ3G100GNTB

Popis: MOSFET N-CH 40V 10A TSMT

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RQ3E130MNTB1

RQ3E130MNTB1

Popis: MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RQ3E100BNTB

RQ3E100BNTB

Popis: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RQ3E160ADTB

RQ3E160ADTB

Popis: MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RQ3E120BNTB

RQ3E120BNTB

Popis: MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RQ3E180AJTB

RQ3E180AJTB

Popis: MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RQ3E120GNTB

RQ3E120GNTB

Popis: MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.