Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > RJU003N03T106
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
6062365RJU003N03T106 Image.LAPIS Semiconductor

RJU003N03T106

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
3000+
$0.083
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    RJU003N03T106
  • Výrobce / značka
    LAPIS Technology
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    RJU003N03T106.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    1.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    UMT3
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    1.1 Ohm @ 300mA, 4.5V
  • Ztráta energie (Max)
    200mW (Ta)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    SC-70, SOT-323
  • Ostatní jména
    RJU003N03T106TR
  • Provozní teplota
    150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    24pF @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    2.5V, 4.5V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    30V
  • Detailní popis
    N-Channel 30V 300mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    300mA (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27

AMD zahajuje výstavbu druhé fáze Design Center Bangalore

2024/11/26
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „RJU003N03T106“.
RJU4352SDPE-00#J3

RJU4352SDPE-00#J3

Popis: DIODE GEN PURP 430V 20A LDPAK

Výrobci: Renesas Electronics America
Na skladě
RFQ
RJU6052SDPE-00#J3

RJU6052SDPE-00#J3

Popis: DIODE GEN PURP 600V 20A LDPAK

Výrobci: Renesas Electronics America
Na skladě
RFQ
RJU3051SDPE-00#J3

RJU3051SDPE-00#J3

Popis: DIODE GEN PURP 360V 10A LDPAK

Výrobci: Renesas Electronics America
Na skladě
RFQ
RJU60C2SDPD-E0#J2

RJU60C2SDPD-E0#J2

Popis: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252

Výrobci: Renesas Electronics America
Na skladě
RFQ
RJU6053WDPP-M0#T2

RJU6053WDPP-M0#T2

Popis: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220FL

Výrobci: Renesas Electronics America
Na skladě
RFQ
RJU4351TDPP-EJ#T2

RJU4351TDPP-EJ#T2

Popis: DIODE GP 430V 10A TO220FP-2L

Výrobci: Renesas Electronics America
Na skladě
RFQ
RJU4352SDPD-E0#J2

RJU4352SDPD-E0#J2

Popis: DIODE GEN PURP 430V 20A TO252

Výrobci: Renesas Electronics America
Na skladě
RFQ
RJU60C2TDPP-EJ#T2

RJU60C2TDPP-EJ#T2

Popis: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220FP

Výrobci: Renesas Electronics America
Na skladě
RFQ
RJU002N06T106

RJU002N06T106

Popis: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RJU4352TDPP-EJ#T2

RJU4352TDPP-EJ#T2

Popis: DIODE GP 430V 20A TO220FP-2L

Výrobci: Renesas Electronics America
Na skladě
RFQ
RJU6053SDPE-00#J3

RJU6053SDPE-00#J3

Popis: DIODE GEN PURP 600V 20A LDPAK

Výrobci: Renesas Electronics America
Na skladě
RFQ
RJU6052TDPP-EJ#T2

RJU6052TDPP-EJ#T2

Popis: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220FP

Výrobci: Renesas Electronics America
Na skladě
RFQ
RJU6053TDPP-EJ#T2

RJU6053TDPP-EJ#T2

Popis: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220FP

Výrobci: Renesas Electronics America
Na skladě
RFQ
RJU6052SDPD-E0#J2

RJU6052SDPD-E0#J2

Popis: DIODE GEN PURP 600V 20A TO252

Výrobci: Renesas Electronics America
Na skladě
RFQ
RJU3052SDPD-E0#J2

RJU3052SDPD-E0#J2

Popis: DIODE GEN PURP 360V 20A TO252

Výrobci: Renesas Electronics America
Na skladě
RFQ
RJU60C3SDPD-E0#J2

RJU60C3SDPD-E0#J2

Popis: DIODE GEN PURP 600V 10A TO252

Výrobci: Renesas Electronics America
Na skladě
RFQ
RJU6054TDPP-EJ#T2

RJU6054TDPP-EJ#T2

Popis: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220FP

Výrobci: Renesas Electronics America
Na skladě
RFQ
RJU4351SDPE-00#J3

RJU4351SDPE-00#J3

Popis: DIODE GEN PURP 430V 10A LDPAK

Výrobci: Renesas Electronics America
Na skladě
RFQ
RJU6054SDPE-00#J3

RJU6054SDPE-00#J3

Popis: DIODE GEN PURP 600V 30A LDPAK

Výrobci: Renesas Electronics America
Na skladě
RFQ
RJU002N06FRAT106

RJU002N06FRAT106

Popis: 2.5V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPON

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.