Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Diody - Usměrňovače - Jednoduché > RFN5BGE3STL
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2931995RFN5BGE3STL Image.LAPIS Semiconductor

RFN5BGE3STL

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$0.87
10+
$0.757
100+
$0.584
500+
$0.433
1000+
$0.346
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    RFN5BGE3STL
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    SUPER FAST RECOVERY DIODE
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
  • Napětí - Forward (VF) (Max) @-li
    1.5V @ 5A
  • Napětí - DC Reverse (Vr) (Max)
    350V
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-252GE
  • Rychlost
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Série
    -
  • Reverse Time Recovery (TRR)
    30ns
  • Obal
    Cut Tape (CT)
  • Paket / krabice
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Ostatní jména
    RFN5BGE3STLCT
  • Provozní teplota - spojení
    150°C (Max)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    10 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode Type
    Standard
  • Detailní popis
    Diode Standard 350V 5A Surface Mount TO-252GE
  • Proud - zpìtný únikový @ Vr
    10µA @ 350V
  • Proud - Průměrná Rektifikova (Io)
    5A
  • Kapacitní @ Vr, F
    -
RFN5B2STL

RFN5B2STL

Popis: DIODE GEN PURPOSE CPD

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFN3BM6STL

RFN3BM6STL

Popis: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFN3BM6SFHTL

RFN3BM6SFHTL

Popis: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFN5B3STL

RFN5B3STL

Popis: DIODE GEN PURPOSE CPD

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFN5BM2STL

RFN5BM2STL

Popis: DIODE GEN PURP 200V 5A TO252

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFN3B2STL

RFN3B2STL

Popis: DIODE GEN PURPOSE CPD

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFN3BM2SFHTL

RFN3BM2SFHTL

Popis: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFN3B6STL

RFN3B6STL

Popis: DIODE GEN PURPOSE CPD

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFN5BM6STL

RFN5BM6STL

Popis: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFN5BM3SFHTL

RFN5BM3SFHTL

Popis: SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFN5BM6SFHTL

RFN5BM6SFHTL

Popis: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFN6BM2DTL

RFN6BM2DTL

Popis: DIODE ARRAY GP 200V 3A TO252

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFNL10TJ6SGC9

RFNL10TJ6SGC9

Popis: DIODE GP 600V 10A TO220ACFP

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFN5B6STL

RFN5B6STL

Popis: DIODE GEN PURP 600V 5A CPD

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFN6BM2DFHTL

RFN6BM2DFHTL

Popis: SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFN5BM3STL

RFN5BM3STL

Popis: DIODE GEN PURP 350V 5A TO252

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFN5BM2SFHTL

RFN5BM2SFHTL

Popis: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFN6B2DTL

RFN6B2DTL

Popis: DIODE GEN PURPOSE TO252

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFN3BGE6STL

RFN3BGE6STL

Popis: SUPER FAST RECOVERY DIODE

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFN3BM2STL

RFN3BM2STL

Popis: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení