Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

*Jméno společnosti
*Jméno
*Titul

*Emailová adresa
*Telefonní číslo

*Země
*Kontaktní okno
*Datum události

*Zpráva

Pro návštěvníky na Electronica 2024

Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.

domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Diody - Usměrňovače - Jednoduché > RFN20TF6S

RFQs/Objednávka (0)

Čeština

Čeština

1721442

RFN20TF6S Image.

LAPIS Semiconductor

RFN20TF6S

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě

1000+

$0.925

Online poptávka

Specifikace

Part Number

RFN20TF6S
Výrobce / značka

LAPIS Technology
Množství zásob

Na skladě
Popis

DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM
Stav volného vedení / RoHS

Bez olova / V souladu RoHS
Datasheety

RFN20TF6S.pdf
Napětí - Forward (VF) (Max) @-li

1.55V @ 20A
Napětí - DC Reverse (Vr) (Max)

600V
Dodavatel zařízení Package

TO-220NFM
Rychlost

Fast Recovery = 200mA (Io)
Série

-
Reverse Time Recovery (TRR)

60ns
Obal

Bulk
Paket / krabice

TO-220-2
Provozní teplota - spojení

150°C (Max)
Typ montáže

Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)
Stav volného vedení / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Diode Type

Standard
Detailní popis

Diode Standard 600V 20A Through Hole TO-220NFM
Proud - zpìtný únikový @ Vr

10µA @ 600V
Proud - Průměrná Rektifikova (Io)

20A
Kapacitní @ Vr, F

-

Související zprávy
Lodní doprava
Platba

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

Lodní doprava

Způsob platby

Následuje produkty související s „RFN20TF6S“.

RFN1L6STE25

Popis: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS

Výrobci: LAPIS Semiconductor

Na skladě

RFN1LAM6STR

Popis: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM

Výrobci: LAPIS Semiconductor

Na skladě

RFN1LAM7STR

Popis: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDTM

Výrobci: LAPIS Semiconductor

Na skladě

RFN1LAM7STFTR

Popis: AUTOMOTIVE FAST RECOVERY DIODE (

Výrobci: LAPIS Semiconductor

Na skladě

RFN20TF6SFH

Popis: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Výrobci: LAPIS Semiconductor

Na skladě

RFN20NS6STL

Popis: DIODE GEN PURP 600V 20A LPDS

Výrobci: LAPIS Semiconductor

Na skladě

RFN3B6STL

RFN3B6STL

Popis: DIODE GEN PURPOSE CPD

Výrobci: LAPIS Semiconductor

Na skladě

RFN20NS6SFHTL

Popis: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Výrobci: LAPIS Semiconductor

Na skladě

RFN30TS6DGC11

Popis: DIODE ARRAY GP 600V 15A TO247

Výrobci: LAPIS Semiconductor

Na skladě

RFN2L4STE25

Popis: DIODE SCHOTTKY 400V 1.5A PMDS

Výrobci: LAPIS Semiconductor

Na skladě

RFN20NS4SFHTL

Popis: FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q101 QU

Výrobci: LAPIS Semiconductor

Na skladě

RFN10TF6S

Popis: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM

Výrobci: LAPIS Semiconductor

Na skladě

RFN30TS6SGC11

Popis: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Výrobci: LAPIS Semiconductor

Na skladě

RFN20NS3SFHTL

Popis: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Výrobci: LAPIS Semiconductor

Na skladě

RFN3B2STL

RFN3B2STL

Popis: DIODE GEN PURPOSE CPD

Výrobci: LAPIS Semiconductor

Na skladě

RFN2LAM4STR

Popis: DIODE GEN PURP 400V 1.5A PMDTM

Výrobci: LAPIS Semiconductor

Na skladě

RFN1L7STE25

Popis: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDS

Výrobci: LAPIS Semiconductor

Na skladě

RFN2L6STE25

Popis: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDS

Výrobci: LAPIS Semiconductor

Na skladě

RFN20TJ6SGC9

Popis: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220

Výrobci: LAPIS Semiconductor

Na skladě

RFN2LAM6STR

Popis: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM

Výrobci: LAPIS Semiconductor

Na skladě

Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.

Následuj nás

Všeobecné obchodní podmínky Politika porušení Požádat o nabídku O nás Kontaktujte nás Mapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.