Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > R6009ENX
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5012179R6009ENX Image.LAPIS Semiconductor

R6009ENX

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$3.17
10+
$2.866
100+
$2.303
500+
$1.791
1000+
$1.484
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    R6009ENX
  • Výrobce / značka
    LAPIS Technology
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 600V 9A TO220
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    R6009ENX.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-220FM
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    535 mOhm @ 2.8A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    40W (Tc)
  • Obal
    Bulk
  • Paket / krabice
    TO-220-3 Full Pack
  • Ostatní jména
    R6009ENXCT
    R6009ENXCT-ND
  • Provozní teplota
    150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    17 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    430pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    23nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    600V
  • Detailní popis
    N-Channel 600V 9A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    9A (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „R6009ENX“.
R60100-1STR

R60100-1STR

Popis: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS

Výrobci: Bussmann (Eaton)
Na skladě
RFQ
R60100-1STRM

R60100-1STRM

Popis: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS

Výrobci: Bussmann (Eaton)
Na skladě
RFQ
R6009-00

R6009-00

Popis: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLN 9.5MM

Výrobci: Harwin
Na skladě
RFQ
R6007ENJTL

R6007ENJTL

Popis: MOSFET N-CH 600V 7A LPT

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R6007ENX

R6007ENX

Popis: MOSFET N-CH 600V 7A TO220

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R6007KNJTL

R6007KNJTL

Popis: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO263

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R6009KNJTL

R6009KNJTL

Popis: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO263

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R6010-00

R6010-00

Popis: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYL 10.5MM

Výrobci: Harwin
Na skladě
RFQ
R6008FNJTL

R6008FNJTL

Popis: MOSFET N-CH 600V 8A LPTS

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R6009KNX

R6009KNX

Popis: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R6008FNX

R6008FNX

Popis: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R601-000-000

R601-000-000

Popis: GASKET

Výrobci: Hammond Manufacturing
Na skladě
RFQ
R6008ANX

R6008ANX

Popis: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R601-000-001

R601-000-001

Popis: GASKET

Výrobci: Hammond Manufacturing
Na skladě
RFQ
R6009ENJTL

R6009ENJTL

Popis: MOSFET N-CH 600V 9A LPT

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R6008-00

R6008-00

Popis: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 8MM

Výrobci: Harwin
Na skladě
RFQ
R6007KNX

R6007KNX

Popis: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R601-000-002

R601-000-002

Popis: GASKET

Výrobci: Hammond Manufacturing
Na skladě
RFQ
R60100-1CR

R60100-1CR

Popis: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS

Výrobci: Bussmann (Eaton)
Na skladě
RFQ
R60100-1COR

R60100-1COR

Popis: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS

Výrobci: Bussmann (Eaton)
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.