Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > R6002ENDTL
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5854359R6002ENDTL Image.LAPIS Semiconductor

R6002ENDTL

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    R6002ENDTL
  • Výrobce / značka
    LAPIS Technology
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    R6002ENDTL.pdf
  • ECAD model
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    CPT3
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    3.4 Ohm @ 500mA, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    20W (Tc)
  • Obal
    Cut Tape (CT)
  • Paket / krabice
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Ostatní jména
    R6002ENDTLCT
  • Provozní teplota
    150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    65pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    6.5nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    600V
  • Detailní popis
    N-Channel 600V 1.7A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount CPT3
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    1.7A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „R6002ENDTL“.
R60030-1SR

R60030-1SR

Popis: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS

Výrobci: Bussmann (Eaton)
Na skladě
RFQ
R60030-3COR

R60030-3COR

Popis: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS

Výrobci: Bussmann (Eaton)
Na skladě
RFQ
R6002025XXYA

R6002025XXYA

Popis: DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R60030-2SR

R60030-2SR

Popis: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS

Výrobci: Bussmann (Eaton)
Na skladě
RFQ
R6002030XXYA

R6002030XXYA

Popis: DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R60030-2COR

R60030-2COR

Popis: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS

Výrobci: Bussmann (Eaton)
Na skladě
RFQ
R6002END3TL1

R6002END3TL1

Popis: NCH 600V 2A POWER MOSFET

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R6002225XXYA

R6002225XXYA

Popis: DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R6001630XXYA

R6001630XXYA

Popis: DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R6003-00

R6003-00

Popis: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLN 3.2MM

Výrobci: Harwin
Na skladě
RFQ
R60030-2PR

R60030-2PR

Popis: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS

Výrobci: Bussmann (Eaton)
Na skladě
RFQ
R60030-1CR

R60030-1CR

Popis: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS

Výrobci: Bussmann (Eaton)
Na skladě
RFQ
R60030-1PR

R60030-1PR

Popis: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS

Výrobci: Bussmann (Eaton)
Na skladě
RFQ
R6001825XXYA

R6001825XXYA

Popis: DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R60030-1COR

R60030-1COR

Popis: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS

Výrobci: Bussmann (Eaton)
Na skladě
RFQ
R6001625XXYA

R6001625XXYA

Popis: DIODE GEN PURP 1.6KV 250A DO205

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R6002625XXYA

R6002625XXYA

Popis: DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R6001830XXYA

R6001830XXYA

Popis: DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R60030-2CR

R60030-2CR

Popis: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS

Výrobci: Bussmann (Eaton)
Na skladě
RFQ
R6002425XXYA

R6002425XXYA

Popis: DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násZprávyMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.