Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - bipolární (BJT) - matice, předběžné > EMF22T2R
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
3191323EMF22T2R Image.LAPIS Semiconductor

EMF22T2R

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    EMF22T2R
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    50V, 12V
  • VCE Saturation (Max) @ IB, IC
    300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
  • Transistor Type
    1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
  • Dodavatel zařízení Package
    EMT6
  • Série
    -
  • Resistor - emitorová základna (R2)
    10 kOhms
  • Rezistor - základna (R1)
    10 kOhms
  • Power - Max
    150mW
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    SOT-563, SOT-666
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frekvence - Přechod
    250MHz, 320MHz
  • Detailní popis
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 320MHz 150mW Surface Mount EMT6
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
  • Aktuální - sběratel Cutoff (Max)
    500nA
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    100mA, 500mA
EMF8132A3MA-DV-F-D

EMF8132A3MA-DV-F-D

Popis: LPDDR3 SPECIAL/CUSTOM PLASTIC GR

Výrobci: Micron Technology
Na skladě
EMF32T2R

EMF32T2R

Popis: TRANS DUAL DTA143T/2SK2019 EMT6

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
EMF450

EMF450

Popis: SPECIALTY EMF/ELF

Výrobci: FLIR
Na skladě
EMF5T2R

EMF5T2R

Popis: TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
EMF5XV6T5

EMF5XV6T5

Popis: TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT56

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
EMF-150-01-F-D

EMF-150-01-F-D

Popis: .050" EDGE MOUNT SOCKET STRIP

Výrobci: Samtec, Inc.
Na skladě
EMF21T2R

EMF21T2R

Popis: TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
EMF-150-01-L-D

EMF-150-01-L-D

Popis: .050" EDGE MOUNT SOCKET STRIP

Výrobci: Samtec, Inc.
Na skladě
EMF24T2R

EMF24T2R

Popis: TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
EMF510

EMF510

Popis: SPECIALTY EMF/ELF

Výrobci: FLIR
Na skladě
EMF-145-01-S-D

EMF-145-01-S-D

Popis: .050" EDGE MOUNT SOCKET STRIP

Výrobci: Samtec, Inc.
Na skladě
EMF-150-01-SM-D

EMF-150-01-SM-D

Popis: .050" EDGE MOUNT SOCKET STRIP

Výrobci: Samtec, Inc.
Na skladě
EMF-150-01-S-D

EMF-150-01-S-D

Popis: .050" EDGE MOUNT SOCKET STRIP

Výrobci: Samtec, Inc.
Na skladě
EMF18XV6T5G

EMF18XV6T5G

Popis: TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
EMF6T2R

EMF6T2R

Popis: TRANS PNP BIP+MOS EMT6

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
EMF5XV6T5G

EMF5XV6T5G

Popis: TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
EMF300

EMF300

Popis: SPECIALTY MICROWAVE LEAKAGE DET

Výrobci: FLIR
Na skladě
EMF21-7

EMF21-7

Popis: TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
EMF-150-01-LM-D

EMF-150-01-LM-D

Popis: .050" EDGE MOUNT SOCKET STRIP

Výrobci: Samtec, Inc.
Na skladě
EMF17T2R

EMF17T2R

Popis: TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení