Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FET, MOSFETy - Pole > BSM180D12P2C101
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4466958BSM180D12P2C101 Image.LAPIS Semiconductor

BSM180D12P2C101

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$434.97
10+
$418.861
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    BSM180D12P2C101
  • Výrobce / značka
    LAPIS Technology
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    1.BSM180D12P2C101.pdf
    2.BSM180D12P2C101.pdf
    3.BSM180D12P2C101.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4V @ 35.2mA
  • Dodavatel zařízení Package
    Module
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    -
  • Power - Max
    1130W
  • Obal
    Bulk
  • Paket / krabice
    Module
  • Provozní teplota
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    32 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    23000pF @ 10V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    -
  • Typ FET
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET Feature
    Silicon Carbide (SiC)
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    1200V (1.2kV)
  • Detailní popis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 204A (Tc) 1130W Module
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    204A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27

AMD zahajuje výstavbu druhé fáze Design Center Bangalore

2024/11/26
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „BSM180D12P2C101“.
BSM200GA120DLCSHOSA1

BSM200GA120DLCSHOSA1

Popis: IGBT 2 MED POWER 62MM-2

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSM2-C

BSM2-C

Popis: CONN SPLICE 14-16 AWG CRIMP

Výrobci: Panduit
Na skladě
RFQ
BSM200GB170DLCHOSA1

BSM200GB170DLCHOSA1

Popis: IGBT 2 MED POWER 62MM-1

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSM200GB120DN2HOSA1

BSM200GB120DN2HOSA1

Popis: IGBT 2 MED POWER 62MM-1

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSM200GB120DLCHOSA1

BSM200GB120DLCHOSA1

Popis: IGBT 2 MED POWER 62MM-1

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSM180D12P3C007

BSM180D12P3C007

Popis: SIC POWER MODULE

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
BSM200GA120DN2HOSA1

BSM200GA120DN2HOSA1

Popis: IGBT 2 MED POWER 62MM-2

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSM2-X

BSM2-X

Popis: CONN SPLICE 14-16 AWG CRIMP

Výrobci: Panduit
Na skladě
RFQ
BSM150GB170DN2HOSA1

BSM150GB170DN2HOSA1

Popis: MODULE IGBT 1700V

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSM200GA170DLCHOSA1

BSM200GA170DLCHOSA1

Popis: IGBT 2 MED POWER 62MM-2

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSM15GP60BOSA1

BSM15GP60BOSA1

Popis: IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSM150GB120DN2HOSA1

BSM150GB120DN2HOSA1

Popis: IGBT 2 MED POWER 62MM-1

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSM200GA120DLCHOSA1

BSM200GA120DLCHOSA1

Popis: IGBT 2 MED POWER 62MM-2

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSM150GD60DLC

BSM150GD60DLC

Popis: IGBT BSM150GD60DLCBOSA1

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSM150GB60DLCHOSA1

BSM150GB60DLCHOSA1

Popis: IGBT MODULE 600V 180A

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSM15GD120DLCE3224BOSA1

BSM15GD120DLCE3224BOSA1

Popis: IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSM15GP120BOSA1

BSM15GP120BOSA1

Popis: IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSM15GD120DN2E3224BOSA1

BSM15GD120DN2E3224BOSA1

Popis: IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSM150GB170DLCHOSA1

BSM150GB170DLCHOSA1

Popis: IGBT 2 MED POWER 62MM-1

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSM15GD120DN2BOSA1

BSM15GD120DN2BOSA1

Popis: IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.