Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > IPD60R1K0CEATMA1
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
1601830IPD60R1K0CEATMA1 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD60R1K0CEATMA1

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    IPD60R1K0CEATMA1
  • Výrobce / značka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 600V TO-252-3
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    IPD60R1K0CEATMA1.pdf
  • ECAD model
  • Vgs (th) (max) 'Id
    3.5V @ 130µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-252-3
  • Série
    CoolMOS™ CE
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    1 Ohm @ 1.5A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    37W (Tc)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Ostatní jména
    IPD60R1K0CEATMA1TR
    SP001276032
  • Provozní teplota
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    280pF @ 100V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    13nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    600V
  • Detailní popis
    N-Channel 600V 4.3A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount TO-252-3
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    4.3A (Tc)

ABLIC and Infineon's innovative IC technology will driv...

2025/01/20

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „IPD60R1K0CEATMA1“.
IPD60R2K0C6BTMA1

IPD60R2K0C6BTMA1

Popis: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD60N10S4L12ATMA1

IPD60N10S4L12ATMA1

Popis: MOSFET N-CH TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD60N10S412ATMA1

IPD60N10S412ATMA1

Popis: MOSFET N-CH TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD60R1K5CEATMA1

IPD60R1K5CEATMA1

Popis: MOSFET N-CH 600V TO-252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD5N25S3430ATMA1

IPD5N25S3430ATMA1

Popis: MOSFET N-CH TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD60R1K4C6ATMA1

IPD60R1K4C6ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD60R180C7ATMA1

IPD60R180C7ATMA1

Popis: MOSFET N-CH TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD60R280CFD7ATMA1

IPD60R280CFD7ATMA1

Popis: MOSFET N-CH TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD60R1K5CEAUMA1

IPD60R1K5CEAUMA1

Popis: MOSFET N-CHANNEL 650V 5A TO252

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD5N03LAG

IPD5N03LAG

Popis: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD60R1K4C6

IPD60R1K4C6

Popis: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD600N25N3GBTMA1

IPD600N25N3GBTMA1

Popis: MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD60R180P7SAUMA1

IPD60R180P7SAUMA1

Popis: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD60R1K0CEAUMA1

IPD60R1K0CEAUMA1

Popis: CONSUMER

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD60R280P7SAUMA1

IPD60R280P7SAUMA1

Popis: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD600N25N3GATMA1

IPD600N25N3GATMA1

Popis: MOSFET N-CH 250V 25A

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD60R2K0C6ATMA1

IPD60R2K0C6ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 600V TO252

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD60R180P7ATMA1

IPD60R180P7ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 650V 18A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD60R280P7ATMA1

IPD60R280P7ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD60R170CFD7ATMA1

IPD60R170CFD7ATMA1

Popis: MOSFET N-CH TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násZprávyMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.