Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > IPD12CN10NGBUMA1
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
1656768IPD12CN10NGBUMA1 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD12CN10NGBUMA1

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    IPD12CN10NGBUMA1
  • Výrobce / značka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    IPD12CN10NGBUMA1.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4V @ 83µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    PG-TO252-3
  • Série
    OptiMOS™
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    12.4 mOhm @ 67A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    125W (Tc)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Ostatní jména
    IPD12CN10N G
    IPD12CN10N G-ND
    IPD12CN10NGBUMA1TR
    SP000096476
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    4320pF @ 50V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    65nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    100V
  • Detailní popis
    N-Channel 100V 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    67A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „IPD12CN10NGBUMA1“.
IPD14N06S280ATMA1

IPD14N06S280ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD12CNE8N G

IPD12CNE8N G

Popis: MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD135N03LGXT

IPD135N03LGXT

Popis: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD12N03LB G

IPD12N03LB G

Popis: MOSFET N-CH 30V 30A TO-252

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD144N06NGBTMA1

IPD144N06NGBTMA1

Popis: MOSFET N-CH 60V 50A TO-252

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD13N03LA G

IPD13N03LA G

Popis: MOSFET N-CH 25V 30A DPAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD122N10N3GBTMA1

IPD122N10N3GBTMA1

Popis: MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD110N12N3GATMA1

IPD110N12N3GATMA1

Popis: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD135N08N3GBTMA1

IPD135N08N3GBTMA1

Popis: MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD105N04LGBTMA1

IPD105N04LGBTMA1

Popis: MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD122N10N3GATMA1

IPD122N10N3GATMA1

Popis: MOSFET N-CH 100V 59A

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD110N12N3GBUMA1

IPD110N12N3GBUMA1

Popis: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD135N03LGBTMA1

IPD135N03LGBTMA1

Popis: LV POWER MOS

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD135N03LGATMA1

IPD135N03LGATMA1

Popis: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD10N03LA

IPD10N03LA

Popis: MOSFET N-CH 25V 30A DPAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD135N08N3GATMA1

IPD135N08N3GATMA1

Popis: MOSFET N-CH 80V 45A

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD12CN10NGATMA1

IPD12CN10NGATMA1

Popis: MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD127N06LGBTMA1

IPD127N06LGBTMA1

Popis: MOSFET N-CH 60V 50A TO-252

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD10N03LA G

IPD10N03LA G

Popis: MOSFET N-CH 25V 30A DPAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD105N03LGATMA1

IPD105N03LGATMA1

Popis: MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.