Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > IPD031N06L3GATMA1
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
3593319IPD031N06L3GATMA1 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD031N06L3GATMA1

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
2500+
$1.203
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    IPD031N06L3GATMA1
  • Výrobce / značka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    IPD031N06L3GATMA1.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    2.2V @ 93µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    PG-TO252-3
  • Série
    OptiMOS™
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    3.1 mOhm @ 100A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    167W (Tc)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Ostatní jména
    IPD031N06L3 G
    IPD031N06L3 G-ND
    IPD031N06L3 GTR-ND
    IPD031N06L3G
    IPD031N06L3GATMA1TR
    SP000451076
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    13000pF @ 30V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    79nC @ 4.5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    60V
  • Detailní popis
    N-Channel 60V 100A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „IPD031N06L3GATMA1“.
IPD025N06NATMA1

IPD025N06NATMA1

Popis: MOSFET N-CH 60V 26A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD03N03LA G

IPD03N03LA G

Popis: MOSFET N-CH 25V 90A TO-252

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD035N06L3GATMA1

IPD035N06L3GATMA1

Popis: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD040N03LGATMA1

IPD040N03LGATMA1

Popis: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD034N06N3GATMA1

IPD034N06N3GATMA1

Popis: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD031N03M G

IPD031N03M G

Popis: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD033N06NATMA1

IPD033N06NATMA1

Popis: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD040N03LGBTMA1

IPD040N03LGBTMA1

Popis: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD038N06N3GATMA1

IPD038N06N3GATMA1

Popis: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD04N03LB G

IPD04N03LB G

Popis: MOSFET N-CH 30V 50A TO-252

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD036N04LGBTMA1

IPD036N04LGBTMA1

Popis: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD048N06L3GBTMA1

IPD048N06L3GBTMA1

Popis: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD046N08N5ATMA1

IPD046N08N5ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD042P03L3GBTMA1

IPD042P03L3GBTMA1

Popis: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD038N04NGBTMA1

IPD038N04NGBTMA1

Popis: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD03N03LB G

IPD03N03LB G

Popis: MOSFET N-CH 30V 90A TO-252

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD042P03L3GATMA1

IPD042P03L3GATMA1

Popis: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD031N03LGBTMA1

IPD031N03LGBTMA1

Popis: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD04N03LA G

IPD04N03LA G

Popis: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD031N03LGATMA1

IPD031N03LGATMA1

Popis: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.