Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > IPB80N08S2L07ATMA1
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5412152IPB80N08S2L07ATMA1 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB80N08S2L07ATMA1

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$3.45
10+
$3.119
100+
$2.506
500+
$1.949
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    IPB80N08S2L07ATMA1
  • Výrobce / značka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    IPB80N08S2L07ATMA1.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    PG-TO263-3-2
  • Série
    OptiMOS™
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    6.8 mOhm @ 80A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    300W (Tc)
  • Obal
    Cut Tape (CT)
  • Paket / krabice
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Ostatní jména
    IPB80N08S2L-07CT
    IPB80N08S2L-07CT-ND
    IPB80N08S2L07ATMA1CT
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    5400pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    233nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    75V
  • Detailní popis
    N-Channel 75V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    80A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „IPB80N08S2L07ATMA1“.
IPB80N08S406ATMA1

IPB80N08S406ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB80N06S4L05ATMA1

IPB80N06S4L05ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB80N08S207ATMA1

IPB80N08S207ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB80P04P4L04ATMA1

IPB80P04P4L04ATMA1

Popis: MOSFET P-CH TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB80P03P405ATMA1

IPB80P03P405ATMA1

Popis: MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB80N06S405ATMA1

IPB80N06S405ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB80N06S405ATMA2

IPB80N06S405ATMA2

Popis: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB80P03P4L07ATMA1

IPB80P03P4L07ATMA1

Popis: MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB80P04P407ATMA1

IPB80P04P407ATMA1

Popis: MOSFET P-CH TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB80P04P405ATMA1

IPB80P04P405ATMA1

Popis: MOSFET P-CH TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB80R290C3AATMA1

IPB80R290C3AATMA1

Popis: MOSFET P-CH TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB80P04P4L08ATMA1

IPB80P04P4L08ATMA1

Popis: MOSFET P-CH TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB80N06S4L05ATMA2

IPB80N06S4L05ATMA2

Popis: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB80N06S407ATMA2

IPB80N06S407ATMA2

Popis: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB80P04P4L06ATMA1

IPB80P04P4L06ATMA1

Popis: MOSFET P-CH TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB80N06S4L07ATMA1

IPB80N06S4L07ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB80N07S405ATMA1

IPB80N07S405ATMA1

Popis: MOSFET N-CH TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB80N06S4L07ATMA2

IPB80N06S4L07ATMA2

Popis: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB80P03P4L04ATMA1

IPB80P03P4L04ATMA1

Popis: MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB80N06S407ATMA1

IPB80N06S407ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.