Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > IPB70N10S312ATMA1
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2569773IPB70N10S312ATMA1 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB70N10S312ATMA1

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$2.08
10+
$1.879
100+
$1.51
500+
$1.174
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    IPB70N10S312ATMA1
  • Výrobce / značka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    IPB70N10S312ATMA1.pdf
  • ECAD model
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4V @ 83µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    PG-TO263-3-2
  • Série
    OptiMOS™
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    11.3 mOhm @ 70A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    125W (Tc)
  • Obal
    Original-Reel®
  • Paket / krabice
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Ostatní jména
    IPB70N10S3-12INDKR
    IPB70N10S3-12INDKR-ND
    IPB70N10S312ATMA1DKR
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    4355pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    66nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    100V
  • Detailní popis
    N-Channel 100V 70A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    70A (Tc)

ABLIC and Infineon's innovative IC technology will driv...

2025/01/20

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „IPB70N10S312ATMA1“.
IPB65R310CFDAATMA1

IPB65R310CFDAATMA1

Popis: MOSFET N-CH TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB70N12S3L12ATMA1

IPB70N12S3L12ATMA1

Popis: MOSFET N-CHANNEL_100+

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB65R660CFDATMA1

IPB65R660CFDATMA1

Popis: MOSFET N-CH 650V 6A TO263

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB70N10S3L12ATMA1

IPB70N10S3L12ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB65R310CFDATMA1

IPB65R310CFDATMA1

Popis: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO263

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB80N03S4L02ATMA1

IPB80N03S4L02ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB70N04S3-07

IPB70N04S3-07

Popis: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB77N06S3-09

IPB77N06S3-09

Popis: MOSFET N-CH 55V 77A D2PAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB77N06S212ATMA2

IPB77N06S212ATMA2

Popis: MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB70P04P409ATMA1

IPB70P04P409ATMA1

Popis: MOSFET N-CH TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB77N06S212ATMA1

IPB77N06S212ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB70N04S406ATMA1

IPB70N04S406ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3-2

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB70N12S311ATMA1

IPB70N12S311ATMA1

Popis: MOSFET N-CHANNEL_100+

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB65R280E6ATMA1

IPB65R280E6ATMA1

Popis: MOSFET N-CH TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB65R660CFDAATMA1

IPB65R660CFDAATMA1

Popis: MOSFET N-CH TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB65R420CFDATMA1

IPB65R420CFDATMA1

Popis: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO263

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB70N10SL16ATMA1

IPB70N10SL16ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB65R600C6ATMA1

IPB65R600C6ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO263

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB65R380C6ATMA1

IPB65R380C6ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO263

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB79CN10N G

IPB79CN10N G

Popis: MOSFET N-CH 100V 13A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násZprávyMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.